屠海令
,
张峰翊
,
王永鸿
,
钱嘉裕
,
马碧春
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.013
采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线. 结果表明, 复合寿命为几百纳秒, 在径向呈"M"型分布, 和半绝缘GaAs晶片中EPD的"W"型分布相反. 在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上, 对GaAs晶片的寿命进行了讨论.
关键词:
复合寿命
,
半绝缘GaAs
,
激光/微波光电导衰减
