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微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究

张庆祥 , 杨兆铭

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

研究了总剂量辐照对微处理器80C86及其外围芯片82C85单粒子效应敏感度的影响. 252Cf轰击80C86获得的单粒子效应截面在0-120 Gy(Si)剂量范围内没有明显的变化; 外围芯片82C85中发生的单粒子脉冲可能引起系统故障.

关键词: 单粒子效应 , 总剂量效应 , 微处理器 , 外围芯片

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