尚丽娟
,
才庆魁
,
刘常升
,
李启东
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2002.02.013
采用激光熔覆工艺在20钢基体上获得了204Co合金涂层.应用剥离法借助光镜、电镜、波谱仪及X射线衍射仪对基体表层及相关部位的组织及成分分布进行了分析研究.结果表明:在本试验条件下,钢基表层的结晶机制为平面外延方式生长和胞状螺型位错方式生长;增加能量输入有利于向后一方向发展,并使热影响区组织粗化,甚至产生显微裂纹;尽管扩散层碳贫化,但其它合金元素的固溶和孪晶亚结构使之强化,而且钴、铬使之具有良好的耐蚀性.
关键词:
激光熔覆
,
钢表层
,
螺型位错
,
外延生长
,
结晶
龙建
,
陈铮
,
杨涛
,
牧虹
,
郑雪红
材料导报
晶体相场模型作为一种新的模拟技术,较之传统的模拟方法如分子动力学和标准相场模型具有无法比拟的优势,能够在原子长度尺度和扩散时间尺度上模拟材料的微观结构转变.详述了晶体相场模型原理,并从弹塑性变形、晶体形核与长大以及液相外延生长等方面论述了晶体相场模型的研究状况,指明了模型的进一步研究方向及应用前景.
关键词:
晶体相场模型
,
弹塑性变形
,
形核长大
,
外延生长
陈菊芳
,
刘常升
,
陈岁元
,
张滨
,
尚丽娟
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2002.02.001
综述了PZT薄膜的制备方法,从电极、微观结构和化学成分、生长方向、多层膜结构以及机械应力对性能的影响五个方面介绍了PZT薄膜的研究进展.提出了PZT薄膜存在的主要问题和发展方向.
关键词:
压电性
,
钙钛矿结构
,
热电性
,
烧绿石
,
外延生长
,
PZT薄膜
李金隆
,
张鹰
,
李言荣
,
邓新武
,
熊杰
功能材料
利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)单晶基片上在(10-5pa)高真空环境中外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式.根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外延层状生长.当保持BTO(110)/Si(111)层状生长,逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度是由整数倍单胞堆积而成,并且随着沉积速率从0.017nm/s降低到0.005nm/s时,每层高度由9降低到1个BTO单胞构成,这对由ABO3钙钛矿材料自组装形成纳米结构具有重要意义.
关键词:
铁电薄膜
,
BST
,
外延生长
,
LMBE
刘敬松
,
李惠琴
,
曹林洪
,
徐光亮
人工晶体学报
以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.
关键词:
外延生长
,
Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
漏电流
,
损耗
马继奎
,
赵庆勋
,
彭增伟
,
陈明敬
,
史金超
,
刘保亭
人工晶体学报
采用磁控溅射的方法在SrRuO3/SrTiO3 (001)衬底上外延生长BiFeO3薄膜,研究以不同金属或氧化物做顶电极时的铁电、铁磁性质和漏电流及其导电机制.X射线衍射图谱和(φ)扫描图结果显示BiFeO3薄膜沿c轴外延生长,以Pt、Al做顶电极的薄膜剩余极化强度2Pr为68μC/cm2,生长Pt/SRO、FePt顶电极的薄膜剩余极化强度较小,2Pr为44μC/cm2,矫顽场2Ec约为370±20 kV/cm.薄膜的漏电流密度较小而且趋于饱和,在U=12 V时最大为1.94×10-3 A/cm2,体传导普尔弗兰克导电为BiFeO3薄膜主要的导电机制.BFO薄膜展现出弱磁性,饱和磁化强度为9.3 emu/cm3,矫顽场为338 Oe.
关键词:
BiFeO3
,
磁控溅射
,
铁电性
,
外延生长
张学敏
,
张立国
,
钮应喜
,
鞠涛
,
李哲
,
范亚明
,
杨霏
,
张泽洪
,
张宝顺
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.028
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备，先在4H-SiC 衬底上外延生长一层2~10μm 厚的碳化硅，然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长，从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象，并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及 X 射线光电子能谱等表征，验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。
关键词:
石墨烯
,
碳化硅
,
外延生长
,
晶体质量
王建鹏
,
李伟
,
刘平
,
马凤仓
,
刘新宽
,
陈小红
,
何代华
中国有色金属学报
采用不同Si含量的TiSi复合靶和Cr靶,用射频磁控溅射工艺在Si基底片上沉积不同Si含量的CrN/TiSiN纳米多层膜.采用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和纳米压痕仪研究Si含量对CrN/TiSiN纳米多层膜显微结构和力学性能的影响.结果表明:随着Si含量的增加,CrN相的结晶程度先增加后降低,涂层的力学性能先提高后降低,当n(Si)∶n(Ti)=7∶18时获得最高硬度为31.5GPa.HRTEM观测表明,在n(Si)∶n(Ti)=7∶18时,TiSiN层在CrN层的模板作用下呈面心立方结构,并且与CrN层形成共格外延生长结构;当n(Si)∶n(Ti)=11∶14时,TiSiN层总体呈非晶结构,与CrN层的共格外生长结构被破坏.硬度的升高主要与TiSiN与CrN形成共格外延生长结构有关.
关键词:
CrN/TiSiN纳米多层膜
,
Si含量
,
显微结构
,
力学性能
,
外延生长
