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凝胶注模成型多孔氮化硅陶瓷

李孟瑜 , 张跃 , 谷景华

稀有金属材料与工程

凝胶注模成型最初用来制备致密材料,本文则利用该方法来制备多孔氮化硅陶瓷.通过测试粉体的Zeta电位曲线以及加入分散剂(聚丙烯酸铵)时浆料的流变曲线,探讨了浆料的胶体特性和流变特性.分析了影响制品气孔率的几个因素.结果表明:粉体的等电点在pH为6附近,Zeta电位最大值在pH为10处.分散剂的加入使浆料的流体类型逐渐接近于牛顿流体.增加分散剂的含量和降低浆料的固含量可以提高制品的气孔率.

关键词: 凝胶注模成型 , 多孔氮化硅 , zeta电位 , 流变性 , 气孔率

三维打印结合反应烧结制备多孔氮化硅陶瓷

翁作海 , 曾庆丰 , 谢聪伟 , 彭军辉 , 张瑾

材料导报

以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷.研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响.结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,可得到抗弯强度为(5.1±0.3)MPa,孔隙率达(74.3±0.6)%的多孔Si3 N4陶瓷.反应烧结后,样品的线收缩率小于2.O%.三维打印结合反应烧结法实现了复杂形状陶瓷构件的无模制造与净尺寸成型.

关键词: 三维打印 , 反应烧结 , 多孔氮化硅 , 孔隙率 , 净尺寸成型

多孔Si3N4表面Al-Y-Si-O-N陶瓷涂层的制备和表征

王超 , 赵国庆 , 范锦鹏 , 张大海 , 王红洁

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.02.021

采用溶胶-凝胶法,利用Al2O3-Y2O3-SiO2溶胶中氧化物与基体中的Si3N4颗粒反应制备一层致密A1-Y-Si-O-N陶瓷涂层.主要研究了烧结温度对陶瓷涂层的组织和性能的影响,利用XRD和EDS分析涂层的相组成和微区元素组成,通过SEM观察涂层的微观形貌.结果显示:在1 400℃烧结时,能够制备出较为致密的陶瓷涂层,涂层由β -siMon,Si2ON,SiO2和非晶相组成;与基体相比,试样的吸水率下降了32.8%~90%,强度提高了2.1%~25.9%.

关键词: 多孔氮化硅 , 陶瓷涂层 , 溶胶-凝胶 , 吸水率 , 弯曲强度

氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响

胡汉军 , 周万城 , 李坊森 , 罗发 , 朱冬梅 , 徐洁

功能材料

以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响.实验结果表明,随着氮化硅晶须加入量的升高,氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介电损耗都升高,介电性能恶化.

关键词: 多孔氮化硅 , 氮化硅晶须 , 成孔剂 , 介电

真空中多孔氮化硅的高温弯曲强度

浑丙利 , 陈欲超 , 王红洁 , 张健 , 张大海

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.02.025

研究了高温真空环境下多孔(气孔率>50%)氯化硅陶瓷的弯曲强度,并进行了初步分析.结果表明,多孔氮化硅陶瓷在真空中的高温强度随温度上升而降低,由于没有氧化作用,晶界玻璃相在高温下的软化成为影响其强度的主要因素.

关键词: 多孔氮化硅 , 真空 , 高温 , 弯曲强度

多孔氮化硅陶瓷的研究进展

陕绍云 , 王亚明 , 贾庆明 , 杨建锋 , 高积强 , 金志浩

硅酸盐通报

综述了多孔氮化硅陶瓷材料的国内外研究现状和进展,介绍了多孔氮化硅陶瓷的主要制备方法,分析了微观组织对多孔氮化硅陶瓷力学性能的影响,并与其他多孔陶瓷进行了性能比较,最后展望了多孔氮化硅陶瓷的发展前景.

关键词: 多孔氮化硅 , 制备方法 , 微观结构 , 力学性能

浆料固相含量对多孔氮化硅陶瓷结构和性能的影响

张敬义 , 范锦鹏 , 张健

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.02.012

以琼脂糖作为凝胶物质,采用凝胶注模工艺制备了多孔氮化硅陶瓷,通过改变浆料的固相含量,制备了不同性能的多孔氮化硅陶瓷.结果表明,随着浆料的固相含量从35vol%增加到45vol%,材料的气孔率从57.6%减小至40.8%,弯曲强度从96 MPa增加到178 MPa;大量的长棒状β-Si3N4晶粒从孔壁上生长出来,将气孔填充,其生长方式为溶解-沉淀-析出与气-液-固两种生长机制协同作用的结果.长棒状的氮化硅晶须和恰当的界面结合强度是多孔氮化硅陶瓷具有较高强度的主要原因.

关键词: 凝胶注模 , 多孔氮化硅 , 固相含量 , 气孔率

稀土烧结助剂对低介电多孔氮化硅陶瓷的性能影响

刘文彬 , 丁艳 , 邹景良 , 徐鹏 , 王芳香 , 杜洪兵 , 张伟儒 , 李玉莹

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.056

以CeO2,Y2O3和Yb2O3为烧结助剂,通过造粒、冷等静压成型和气氛压力烧结成功制备出介电常数ε低于3.0的氮化硅透波材料.伴随稀士氧化物烧结助剂量提高,材料介电性能不断下降,在7%时略有回升.含CeO2试样强度低于30MPa,而有Yb2O3的试样强度最高.通过XRD检测和SEM观察,发现其β相转化程度最高、长径比最大.

关键词: 多孔氮化硅 , 稀土烧结助剂 , 介电常数 , 弯曲强度

包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究

胡汉军 , 周万城 , 李坊森 , 罗发 , 朱冬梅 , 徐洁

功能材料

以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响.结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好.

关键词: 包覆 , 多孔氮化硅 , 成孔剂 , 介电

常压烧结制备多孔氮化硅陶瓷研究

赵中坚 , 王萍萍 , 胡伟 , 雷景轩 , 邬浩 , 施志伟

硅酸盐通报

选用Al2O3、Y2O3、Lu2O3三种氧化物作为烧结助剂,采用凝胶注模成型和气氛保护常压烧结工艺,成功制备了具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷材料.本文研究了三种烧结助剂对多孔氮化硅的力学性能、介电性能和微观结构的影响,以及对氮化硅陶瓷的烧结促进作用,结果表明Y2O3具有最佳的烧结活性促进作用,其微观结构表明β-Si3N4棒状晶粒搭接结构是使多孔氮化硅陶瓷材料具有较好力学性能的重要原因.

关键词: 多孔氮化硅 , 常压烧结 , 凝胶注模 , 烧结助剂

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