谭俊
,
王猛
,
姜纵横
,
邵欢
,
宋皓
电镀与涂饰
采用单液法电刷镀制备200 μm厚的Ni/Co多层膜镀层.镀液配方和工艺为:NiSO4·7H2O 250 g/L,CoSO4·7H2O 17～50 g/L,H3BO3 35 g/L,NaC120 g/L,十二烷基硫酸钠0.1～ 0.5 g/L,pH 2.0 ～ 5.0,温度40 ～ 60℃.通过单因素试验确定镀液的CoSO4·7H2O与NiSO4·7H2O的质量浓度比为1∶10,镍、钴单层的沉积电压分别为9.0 V和3.5 V.通过对比不同厚度单层膜的Ni/Co多层膜镀层的表面形貌、元素组成、表面粗糙度、显微硬度和耐磨性能,分析单层膜厚度变化对Ni/Co多层膜镀层性能的影响,最终确定较优单层膜厚度为4 μm.所得Ni/Co多层膜镀层的显微硬度为496.8 HV,摩擦因数为0.42,耐磨性最好.
关键词:
镍
,
钴
,
多层膜
,
电刷镀
,
单液法
,
耐磨性
,
显微硬度
刘明霞
,
马飞
,
黄友兰
,
黄平
,
余花娃
,
张建民
,
徐可为
金属学报
使用磁控溅射法制备了不同调制波长的Ni/Al多层膜，利用X射线衍射（XRD）和高分辨显微技术（HRTEM）对薄膜进行了微结构表征，采用连续刚度法（CSM）研究了不同压入深度下多层膜的硬度。结果表明，随调制波长减小，薄膜呈纳米晶结构特征且存在超硬效应。调制波长L大于30 nm时，纳米压入硬度随压入深度的增加而升高；L小于30 nm时最大压入深度的硬度测量值反而最小。同时发现压入深度较小时硬度相对大小对调制波长不敏感。结合微结构表征，从晶界和膜界的竞比变形角度进行了分析讨论。
关键词:
多层膜
,
hardness
,
loading depth
,
modulated period
,
grain boundary
杜雪岩
,
史世毅
,
李翠霞
,
徐凯
,
马芬
稀有金属材料与工程
通过电化学沉积法制备Fe/Pt多层膜.分别以FeSO4·7H2O和H2PtCl6·6H2O作为Fe2+源和pt4+源,配置Fe/Pt摩尔浓度比为100∶1混合溶液,调整其pH值为2.5.然后以铂片为阳极,以纯铜片为阴极,本通脉冲电源,调节电位、换向时间等参数实现Fe、Pt的反复沉积,获得Fe/Pt多层膜.结果表明,变换富Fe层沉积电位对多层膜的表面形貌有一定影响.在富铂层沉积电位为-2 V,沉积6 min和富铁层沉积电位为-5V,沉积3 min,循环4个周期得到的多层膜的Fe/Pt原子比路近3∶1.将此多层膜在550℃热处理30 min之后,其矫顽力从5.12 kA/m增大至42.18 kA/m,饱和磁化强度从43.1 kA/m增大至459.1 kA/m.
关键词:
Fe/Pt
,
多层膜
,
电化学沉积
,
磁性能
李爱丽
,
闫金良
,
石亮
,
刘建军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
关键词:
透明导电膜
,
多层膜
,
光学性质
,
电学性质
颜凌云
,
郏义征
,
包宗贤
,
陶勇
,
武鹏飞
贵金属
采用纳米恪痕仪研究柚Cu-Au多层膜的硬度、弹性模柎及其在恪头下的变形行为。结果表明，随单层膜厚度(h)的减小，Cu-Au多层膜的弹性模柎略有减小。Cu-Au多层膜的硬度随单层膜厚度的减小而增加，当h≥50 nm时，硬度随1 h线性增加；当h<50 nm时，硬度与1 h偏果柚原来的线性关系，且硬度随1 h的增大而增大的趋势开始弱化。在单层膜厚度为25 nm的Cu-Au多层膜的恪痕附近，出现柚“挤出”和剪切带。
关键词:
金属材柞
,
多层膜
,
硬度
,
弹性模柎
,
变形行为
何贤美
,
童六牛
金属学报
用磁控溅射方法制备了Ni80Co20/M(M=Co,Cr,Ag)多层膜样品系列,Co,Cr,Ag杂质层的标称厚度为0.1 nm,研究了界面散射对多层膜的磁及输运性质的影响.零场电阻率ρ的测量结果表明,对含Cr样品,p随杂质层间距L的依赖关系能较好的用Fuchs-Sondheimer(F-S)理论描述.而对含Co和Ag样品,ρ随L的依赖关系在L小于15 nm时开始偏离F-S理论.磁电阻测量表明,含Cr和Ag样品,各向异性磁电阻△ρ在L＜15 nm时随L的减小陡然下降.对含磁性Co元素的样品,其△p值在L＞15 nm时高于Ni80Co20单层薄膜的△ρ值;在L＜15 nm时△p值随L呈现振荡变化的趋势.磁性测量表明,三个系列样品的矫顽力Hc在L＜15 nm时都随L近似直线上升,在L＞15 nm后趋于饱和;经400℃真空退火后Hc都显著下降.
关键词:
多层膜
,
null
鲁林峰
,
沈鸿烈
,
张娟
,
江丰
,
李斌斌
,
沈洲
,
刘恋慈
人工晶体学报
采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜.多层膜的总厚度为252 nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1 nm/3.2 nm、2 nm/6.4 nm和20 nm/64 nm.在850 ℃, Ar气气氛中退火2 h后,Si衬底上的多层膜完全生成了β-FeSi2相.但石英衬底上同样Fe/Si亚层厚度比的多层膜除了生成β-FeSi2相,还生成了少量的ε-FeSi相.通过增加Si亚层的厚度至Fe/Si亚层厚度比为2 nm/7.0 nm,在石英衬底上也获得了单相的β-FeSi2薄膜, 其光学带隙为0.87 eV,表面均方根粗糙度为2.34 nm.
关键词:
β-FeSi2薄膜
,
石英衬底
,
亚层厚度比
,
多层膜
聂颖
,
任楚苏
,
周仕明
,
时钟
,
阎文盛
,
桑海
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.021
在室温下用超高真空磁控溅射系统制备了一系列的Pt(4.0 nm)/[Co(0.5 nm)/Pt(0.3 nm)]3-FeMn(tAF nm)多层膜样品,研究了反铁磁层厚度对于易轴垂直于样品表面的Co/Pt/FeMn多层膜磁性质的影响。在室温下利用样品的剩磁进行了 X 射线磁圆二色测量(XMCD),结果表明在铁磁/反铁磁界面有反铁磁层铁锰的净磁矩,这些净磁矩仅来自于铁元素。铁的磁矩倾向于垂直于膜面排列。磁测量结果表明,随着铁锰层厚度的增加,交换偏置场H EB 增加直到饱和,而HC 先增加,然后轻微减少,在tAF>7.5 nm 以后,H EB 和H C 都几乎不变了。没有观察到磁锻炼效应。
关键词:
垂直各向异性
,
交换偏置
,
净磁矩
,
多层膜
赵银女
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.
关键词:
磁控溅射
,
多层膜
,
透明导电膜
,
退火
,
光学性质
,
电学性质
