刘长友
,
介万奇
材料导报
以ZnSe多晶料的预处理为例,阐述了Ⅱ-Ⅵ族高熔点化合物的预处理方法与原理.生长单晶体,不仅仅要求原料有足够高的纯度,更为重要的是需要通过原料的预处理,获得具有合适化学比的高纯多晶原料.结合ZnSe材料的升华特性和杂质分布,对区域升华法处理工艺参数进行了分析,确定了源区温度应略低于1100℃,而沉积温度应高于900℃.选择较窄的升华一沉积温度范围更有利于杂质的去除.沉积区的温度越接近单晶生长温度,就越容易获得化学比较为合适的原料多晶.
关键词:
硒化锌
,
多晶
,
提纯
,
非化学计量比
张永成
,
陈沙鸥
,
栾伟娜
,
邵渭泉
,
李达
,
景悦林
材料导报
以Y(NO3)3·6H2O、NH4 HCO3为原料,采用化学沉淀法制备了菱形片状的多晶前驱体颗粒,发现不同温度煅烧处理得到的菱形片状多晶Y2O3和其前驱体在形貌及尺寸上具有遗传性.利用金相显微镜、透射电镜、X射线衍射和红外光谱对Y2O3及其前驱体进行了分析表征,研究了其形貌的形成过程及影响因素,并讨论了多晶Y2O3与其前驱体在形貌上的遗传过程.
关键词:
Y2O3
,
化学沉淀法
,
菱形片状
,
多晶
雷平水
,
史伟民
,
郭燕明
,
邱永华
,
潘美军
功能材料
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
关键词:
多晶
,
碘化汞
,
物理气相沉积
,
探测器
高翔
,
马吉
,
张辉
,
Mya Theingi
,
杨盛安
,
陈清明
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法制备了La0.75Ca0.25MnO3多晶靶材,并用紫外脉冲激光沉积法(PLD)在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了La0.75Ca0.25MnO3外延薄膜.采用XRD测试了薄膜的晶体结构和生长取向,测试了薄膜(200)衍射峰摇摆曲线并分析了薄膜的结晶质量.利用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜表面形貌,并利用四探针法测试了薄膜的电阻-温度(R-T)曲线.实验结果显示薄膜结晶质量较好,并沿c轴择优生长,且生长方式为层状生长.薄膜的绝缘体-金属转变温度(T1M)达到270 K以上,电阻温度系数(TCR)高达10％.
关键词:
La0.75Ca0.25MnO3
,
多晶
,
薄膜
,
脉冲激光沉积
,
电阻温度系数
蔡云麒
,
马吉
,
张辉
,
王文章
,
陈清明
人工晶体学报
利用溶胶-凝胶法成功制备了La0.67Ca0.33MnO3粉末,并通过优化烧结工艺获得了物理性能优异的La0.67Ca0.33MnO3多晶靶材.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别测试了样品的物相、结构和微观形貌,并利用四探针法测试了靶材的电阻率-温度曲线.结果表明,影响TCR的主要因素有晶粒的化学均匀性、晶粒尺寸和晶界的数量,样品具有接近室温的金属-绝缘转变温度(TM1 =274 K)和高的电阻温度系数(TCR=13.5％).
关键词:
La0.67Ca0.33MnO3
,
多晶
,
TCR
,
溶胶-凝胶
刘长友
,
介万奇
,
何克
功能材料
采用区域升华法对由两单质直接合成的ZnSe多晶原料进行了处理.电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,区域升华法对高纯原料中杂质的去除率仅为10%左右.X射线衍射(XRD)和能谱分析(EDS)结果表明提纯后原料的化学比得到了有效调节,其多晶化学比与单晶的化学比非常接近,适于单晶生长使用.采用区域升华法处理高纯多晶原料的主要目的应该放在去除过量元素和调节原料化学比上.
关键词:
硒化锌
,
多晶
,
提纯
,
非化学计量比
何蕾
,
王倩
,
许思友
,
贾丽娟
,
王磊
材料导报
高能氢离子束溅射金属铝靶,沉积在单晶Si基片上的非晶薄膜是Al和Al2O3的混合物.在空气中对其进行900～1200℃的热处理,成功地制备了以不同结晶形式存在的多晶Al2 O3薄膜,讨论了不同退火温度对其结晶性能、表面形貌及红外吸收光谱的影响.为Al2O3薄膜制备与应用提供了良好借鉴.
关键词:
Al2O3薄膜
,
溅射
,
退火
,
多晶
