李睿
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王俊
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孔蔚然
,
马惠平
,
浦晓栋
,
莘海维
,
王庆东
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.014
本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.
关键词:
静态随机存储器
,
单比特位失效
,
多晶硅栅耗尽
