王大海
,
李轶华
,
孙艳
,
吴渊
,
陈国军
,
王国柱
,
荆海
,
万春明
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.011
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.
关键词:
多晶硅薄膜晶体管
,
反应性离子刻蚀
,
刻蚀速率
,
选择比
纪世阳
,
李牧菊
,
王宗凯
,
杨柏梁
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.03.007
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题, 采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏, 增加晶体管的开关电流比值. 通过模拟轻掺杂区不同的物理参数, 如掺杂浓度及掺杂区宽度等, 研究薄膜晶体管的开关电流比值. 由此确定像素各部分的尺寸, 对液晶显示器件进行优化设计.
关键词:
液晶显示
,
多晶硅薄膜晶体管
,
优化设计
,
源漏轻掺杂液
丁磊
,
许剑
,
韩郑生
,
梅沁
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.010
利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.
关键词:
多晶硅薄膜晶体管
,
KINK效应
,
Medici
,
Tsuprem4
彭尚龙
,
胡多凯
,
贺德衍
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0303
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法.分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性.测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率.这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少.
关键词:
镍硅化物
,
金属诱导横向晶化
,
多晶硅薄膜晶体管
