张涛
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张淑仪
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李敏
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周胜男
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孙斌
功能材料
利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6％PMnN-94%5PZT（6％Pb（Mn1/3，Nb2／3）O3—94％Pb（Zr0.52，Ti0.48）O3），采用淬火方法对薄膜进行处理，以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时，在相同条件下制备非掺杂PZT（52／48）薄膜以对比薄膜掺杂效果。运用X射线衍射（XRD）技术分析薄膜晶向及晶体结构，运用SawyerTower电路测试薄膜铁电性能，运用激光测振仪测试薄膜的压电系数。实验结果表明，所沉积薄膜为多晶钙钛矿结构铁电薄膜，薄膜铁电剩余极化Pr=23．7μC／cm2，饱和极化Ps=40μC／cm2，矫顽场电压2Ec=139kV／cm，横向压电系数e11=-13．2C／m2，薄膜的铁电及压电性能优良。
关键词:
多晶铁电薄膜
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磁控溅射
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铁电性能
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压电性能
