李弋
,
刘斌
,
谢自力
,
张荣
,
修向前
,
江若琏
,
韩平
,
顾书林
,
施毅
,
郑有炓
功能材料
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比.最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm.
关键词:
InGaN/GaN
,
多量子阱
,
In组分
,
X射线衍射
唐田
,
张永刚
,
郑燕兰
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.012
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性.通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓.
关键词:
InGaAsSb
,
分子束外延
,
多量子阱
,
光致发光
马春生
,
田丰收
,
孙洪波
,
刘式墉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.008
本文提出一种多阱能量表象方法用来分析应变补偿多量子 阱的价带结构。这一方法是把应变补偿多量子阱的价带Γ点z方向重 轻空穴的能量本征函数作为基矢量建立能量表象，把非Γ点的重轻空 穴的能量本征函数按这些基矢量进行傅里叶级数展开，带入 Kohn-Luttinger Hamiltonian(KLM)方程中得到相应的能量特征矩阵， 进 而得到其非Γ点的重轻空穴的能量本征值和相应的本征矢。与k.p方法 相比，这一方法的优点在于能够有效地分析出阱数和阱间距离对应变 补偿多量子阱的能带结构产生的影响，并且所得的能量特征矩阵的阶 数要小得多，很容易在微机上进行运算。
关键词:
多量子阱
,
应变补偿
,
KLM方程
,
价带结构
,
能量表象
刘靖
,
黄重庆
,
孙军强
,
黄德修
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.015
用时域有限差分法研究了一维光子晶体多量子阱中的谱线分裂现象,揭示了光子隧穿多量子阱时谱线分裂的规律性.研究发现,谱线分裂是阱间相互耦合的结果,其特征不仅取决于势阱的个数,而且与垒区和阱区的几何参量密切相关.计算结果表明,对称多量子阱结构中,光子隧穿p个势阱时,单阱对应的每条透射谱线会分裂为p条,各分裂谱线互不交叠.这样在有限的禁带区域可以成倍增加光子束缚态,使信道密度最大化,光波有效带宽的使用最优化,有望在光通信超密集波分复用和光学精密测量中获得广泛应用.
关键词:
量子光学
,
谱线分裂
,
时域有限差分法
,
多量子阱
,
光子晶体
王天虎
,
王晓东
,
徐讲良
工程热物理学报
本文建立了发光二极管（LED）芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱（MQWs）区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱（QW）内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明,在大电流或低冷却能力条件下,芯片内部与芯片衬底温差显著,等温模型无法准确预测芯片性能,需采用非等温模型。
关键词:
发光二极管
,
多量子阱
,
内量子效率
