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In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究

王军 , 徐悟生 , 王锐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.004

在Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中掺进In2O3,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体.对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试,结果表明:In(3mol%)∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3提高两个数量级,其OH-吸收峰由LiNbO3的3484 cm-1移到3508 cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3晶体快三倍.对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究.

关键词: In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体 , 存储性能 , 响应时间 , 晶体生长

基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5的相变存储器器件单元存储性能

徐成 , 刘波 , 冯高明 , 吴良才 , 宋志棠 , 封松林 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009

采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.

关键词: Sn掺杂 , Ge2Sb2Te5 , 相变存储器 , 器件单元 , 存储性能

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