李云飞
,
王永生
,
张晓龙
,
刘宏宇
,
王刚
,
邵喜斌
,
何大伟
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.010
对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.
关键词:
OLED
,
有源驱动
,
存储电容
,
充电率
栗鹏
,
朴正淏
,
金熙哲
,
金在光
,
尚飞
,
邱海军
,
高文宝
,
韩乾浩
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173201.0019
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明：当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30％~40％.实验结果表明：采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2．5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5％.
关键词:
高级超维场转换技术
,
Dual Gate GOA
,
4K TV
,
存储电容
,
双条形电极
彭毅雯
,
徐伟
,
罗毅
,
韩彦军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122701.0066
影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性.主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的.这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态.本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的方案.通过设计实验变更TFT-LCD的主要参数(Pixel设计、Aperture Ratio、△Vυ等),提出了4种面影像残留改善方案并制作了样品.对这4种改善方案的试制样品进行了TFT-LCD面影像残留水平测量和评价,分析了各像素设计因素对面影像残留水平的影响；同时对试制样品的画面品质进行了评价,为解决相关画面品质问题对该方案进行了设计优化,最终获得了一种较佳的面影像残留改善方案.
关键词:
液晶显示器
,
影像残留
,
存储电容
