胡志刚
,
周勋
,
徐明
,
刘方舒
,
段满益
,
吴定才
,
董成军
,
陈尚荣
,
吴艳南
,
纪红萱
,
令狐荣锋
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe, Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜.产物的显微照片及XRD图谱结果表明, 该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13 nm 左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性.光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394 nm)、蓝光峰(420 nm)、绿光峰(480 nm)组成.Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420 nm处的蓝光峰增强.
关键词:
ZnO薄膜
,
Fe,Ni掺杂
,
光致发光
,
溶胶-凝胶法
,
室温铁磁性
娄阳
材料导报
采用无催化剂辅助化学气相沉积法,以无水AlCl3、NH3气和无水CaCl2分别作为Al源、N源和Ca源,首次获得Ca掺杂AlN纳米棒阵列.纳米棒的长度约为几百纳米,直径为200～500nm.能谱(EDS)证明Ca掺杂的原子分数约为4.4％;光致发光光谱(PL)表明N空位引起在359nm的发光中心；在磁性能测试中观察到明晰的磁滞回线,表明样品具有室温铁磁性.
关键词:
无催化剂辅助化学气相沉积法
,
纳米棒阵列
,
Ca掺杂AlN
,
室温铁磁性
姬晓旭
,
王爱华
,
张萍
人工晶体学报
ZnO基稀磁半导体是目前最有应用前景的自旋电子器件候选材料之一.室温铁磁性材料的可控制备及其磁性起源是目前自旋电子学急待解决的两个基本问题.本文围绕这两个问题对目前国内外关于ZnO基稀磁半导体材料的实验和理论最新研究进行了综述.
关键词:
自旋电子学
,
ZnO
,
稀磁半导体
,
室温铁磁性
段利兵
材料导报
稀磁半导体制备方法与磁性起源的研究是当前凝聚态物理的一项热门课题.首先介绍了自燃烧合成法的原理和优点,然后以Co和Mn掺杂ZnO为重点,总结了国内外采用自燃烧法合成的ZnO基稀磁半导体纳米颗粒晶体结构、磁性能相关的研究进展,讨论了所得纳米颗粒磁性能的内在物理机制.通过对自燃烧法合成的更宽掺杂范围ZnO基稀磁半导体纳米颗粒的研究,使我们能够更加系统地了解过渡金属掺杂ZnO材料的结构与磁性能,并探讨所得实验现象的内在物理机制.
关键词:
稀磁半导体
,
ZnO
,
晶体结构
,
室温铁磁性
卓世异
,
刘学超
,
熊泽
,
陈之战
,
杨建华
,
施尔畏
人工晶体学报
ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点.传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系.而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性.本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展.
关键词:
稀磁半导体
,
ZnO
,
非磁性元素掺杂
,
室温铁磁性
高茜
,
娄晓燕
,
范明
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.010
利用溶胶-凝胶法制备了 Cu 掺杂 ZnO 纳米晶体薄膜,通过 XRD、TEM 、AFM、UV-VLS 和 VSM对其晶体结构、表面形貌、透光性、禁带宽度和磁性进行了表征和分析。结果表明,所有样品都具有 c 轴择优生长取向,Cu 掺杂没有改变 ZnO 晶体的纤锌矿结构,即没有检测到任何非晶态产物以及各种第二相的存在,表明 Cu2＋已经取代 Zn2＋融入了晶体。但是,Cu的掺杂浓度以及煅烧温度的变化,改善了薄膜的粗糙度、晶粒度、透光率、禁带宽度及室温铁磁性。在所有样品中,掺杂浓度为2％、煅烧温度为500℃的薄膜粗糙度、晶粒度最小而透光性和室温铁磁性最强。样品的能隙则是随着 Cu 掺杂浓度和煅烧温度的提高而变小。
关键词:
溶胶-凝胶法
,
Cu 掺杂 ZnO
,
透光性
,
禁带宽度
,
室温铁磁性
王古平
,
付亚波
,
李志刚
,
刘彦平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.20.019
利用全自动化功能磁控溅射技术在硅/PS(聚苯乙烯)胶体球模板上制备了具有室温铁磁性和紫外发光特性的两种ZnO微米级圆晶.采用SEM、XRD、PL和VSM对样品进行了表征.结果表明:在PS胶体球去除方法上采用略有不同工艺制备的六边形和反置六边形结构ZnO微米级圆晶均具有(002)择优取向,晶粒大小分别为21.7nmn和26.5 nm,应力分别为3.26×109 Pa和-1.21×109 Pa,均出现361nm和444nm两个发光峰.两种结构ZnO阵列的铁磁性有所不同,可能是缺陷不同引起的.
关键词:
磁控溅射
,
氧化锌
,
倒置结构
,
光致发光
,
室温铁磁性
宋世巍
,
秦福文
,
吴爱民
,
何欢
,
王叶安
,
姜辛
,
徐茵
,
顾彪
功能材料
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜.利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征.(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成.光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰.超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K.
关键词:
(Ga,Mn)N
,
ECR-PEMOCVD
,
室温铁磁性
,
居里温度
陈飞
,
潘国兴
,
周国庆
,
张发培
低温物理学报
聚(3-己基噻吩)(P3HT)与富勒烯(C60)(或其衍生物)形成的有机复合薄膜(P3HT:C60)具有室温铁磁性,但如何进一步提高其磁性能以及探究薄膜结构和磁性质的联系尚未见报道.本文采用强磁场下的溶液相沉积方法制备P3HT:C60薄膜,并利用超导量子干涉磁强计、电子自旋共振谱和紫外-可见光吸收谱,研究了强磁场诱导对薄膜铁磁性和微结构的影响.发现其室温铁磁性有显著提高,饱和磁化强度较未加磁场生长的样品增大一个数量级,并且显示较高的居里温度(大于400 K).薄膜结构分析发现,强磁场诱导引起P3HT分子链间堆积有序增强和结晶度的提高.这将增强体异质结薄膜内P3HT分子与C60分子间的电荷转移,因而可能是P3HT:C60薄膜室温铁磁性增强的一个重要原因.
关键词:
共轭聚合物
,
有机薄膜
,
强磁场
,
室温铁磁性
崔正南
,
许怀哲
,
郝维昌
,
李建军
复合材料学报
为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末.X射线衍射光谱显示Cu在ZnO中的固溶度小于0.08(摩尔比);透射电子显微镜分析显示颗粒尺寸较为均匀,呈单结晶态;振动样品磁强计测试表明,Cu/ZnO具有室温铁磁性.由于Cu本身不具有任何磁性,样品的铁磁性来源为氧化锌晶格中的缺陷与Cu2+离子之间的交换作用.
关键词:
稀磁性半导体
,
溶胶-凝胶法
,
Cu/ZnO
,
室温铁磁性
