贺永宁
,
朱长纯
,
侯洵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.002
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战.
关键词:
ZnO
,
宽带隙半导体
,
晶体缺陷
,
电子输运
,
p型掺杂
边楠
,
张晓丹
,
张霞
,
赵颖
,
杨瑞霞
人工晶体学报
利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜.所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上.X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化.光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节.
关键词:
超声喷雾热分解
,
Zn1-xMgxO薄膜
,
宽带隙半导体
,
禁带宽度
赵懿琨
,
连洁
,
张飒飒
,
王公堂
,
宫文栎
,
于元勋
,
卜刚
材料导报
ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点.介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向.
关键词:
ZnO薄膜
,
紫外探测器
,
宽带隙半导体
周红
,
应鹏展
,
崔教林
,
王晶
,
高榆岚
,
李亚鹏
,
李奕沄
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1,而电导率则随温度迅速增大.在818 K时,其电导率达到最大值2.92× 103 Ω-1·m-1,热导率为0.50 W.K-1·m-1,最高热电优值ZT值达到0.33.
关键词:
CuIn5Se8
,
宽带隙半导体
,
热电性能
