方亮
,
彭丽萍
,
杨小飞
,
周科
,
吴芳
材料导报
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
ZnO:In薄膜
,
光学性质
,
电学性质
雷通
,
王小平
,
王丽军
,
张雷
,
吕承瑞
,
王隆洋
材料导报
LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好.宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点.目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟.综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
SiC
,
GaN
,
ZnO
,
金刚石
,
发光二极管
黄桂娟
,
孔春阳
,
秦国平
材料导报
Zn1-xMgxO薄膜作为一种新型的宽带隙半导体材料,近年来一直受到广泛的关注.获得高质量稳定的p型Zn1-xMgxO薄膜是实现其光电应用的关键.概述了Zn1-xMgxO薄膜及其p型掺杂的研究现状,介绍了Zn1-xMgxO薄膜结构、光电性质及在光电领域的应用,并提出了有待进一步研究的问题.
关键词:
Zn1-xMgxO薄膜
,
宽禁带半导体材料
,
p型掺杂
