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退火对锗单晶导电性能的影响

王思爱 , 苏小平 , 冯德伸 , 尹士平

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.04.022

退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响.退火温度超过550 ℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750 ℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型.同时,退火温度超过550 ℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果.

关键词: 锗单晶 , 退火 , 导电型号 , 电阻率