程芸
,
杨明红
,
代吉祥
,
杨志
材料导报
采用射频磁控反应溅射法在不同工艺下制备微米级厚度的氮化硅薄膜,并利用椭圆偏振仪、分光光度计、X射线衍射仪、电子探针显微分析仪以及红外光谱仪对薄膜的光学性能、微观结构及化学成分进行了表征.测试结果表明,当N2和Ar的流量为1∶1时所制备样品为非晶态结构的高折射率富氮氮化硅薄膜；低温热处理对薄膜折射率有一定的改善作用；透过率随溅射气压的增加而升高、随功率的增大而降低；N-Si键的强度随溅射气压的升高而降低.
关键词:
氮化硅薄膜
,
射频溅射
,
光学性能
,
FT-IR
,
EPMA
赵强
,
赖珍荃
,
黄志明
,
陈静
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.016
采用 LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在 350℃的 K9玻璃衬底上制备出了具有较好( 100) 择优取向的 LaNiO3薄膜.通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析, 发现薄膜厚度小于 100nm时为非晶结构,厚度大于 150nm后出现了具有( 100)择优取向的 LaNiO3 相.非晶结构的 LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率,而晶化的 LaNiO3薄膜具有类似于金 属的导电能力和光学特性.薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非 晶过渡层.
关键词:
LaNiO3薄膜
,
射频溅射
,
光学特性
,
表面电阻
屈晓声
,
李德杰
,
田宏
,
姚保纶
功能材料
Ni-SiO2金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料,用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ni-SiO2薄膜,生成的样品均匀、致密,通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求.X射线能谱分析可以估算出Ni在样品中的百分比,各种不同制备条件下的样品透射率有较大的差别.
关键词:
Ni-SiO2薄膜
,
金属体积百分比
,
射频溅射
,
透光性
刘祚麟
,
吴传贵
,
张万里
,
李言荣
功能材料
采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C/(cm2·K).红外单元探测器在30Hz下的探测率D*为4.93×107cm*Hz1/2/W.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法,适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
关键词:
BST
,
倒筒式
,
射频溅射
,
热释电系数
,
探测率
刘文
,
梁文萍
,
缪强
,
任蓓蕾
,
潘晓扬
材料保护
为进一步提高Ti2AlNb合金的抗高温氧化性能,在其表面射频溅射Al/Al2O3复合层,并于650℃下进行了抗热震性能研究,采用扫描电镜及能谱仪观察复合层形貌并分析其成分.结果表明:Al/Al2O3复合层平整致密,无贯穿裂纹,复合层中Al2O3层厚约1μm,Al层厚约14 μm;热震循环50次时复合层表面出现了微小裂纹,随着热震循环次数增加,裂纹不断扩展,表层Al2O3颗粒增大;Al/Al2O3复合层能有效提高Ti2AlNb合金的抗热震性能.
关键词:
Ti2AlNb合金
,
射频溅射
,
Al/Al2O3复合层
,
形貌
,
成分
,
抗热震性能
赵青南
,
倪佳苗
,
张乃芝
,
赵修建
,
姜宏
,
王桂荣
稀有金属材料与工程
制备了摩尔比为l:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材.采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜.溅射过程中,工作气压保持在1.8 Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)～220℃之间变化.用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率.结果表明,薄膜表面结构平滑、致密,呈微小晶粒结构,薄膜中Ti和Ce仅以Ti4+和Ce4+的形式存在;随着基片温度升高,薄膜中的细小晶粒略有长大;TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线.
关键词:
射频溅射
,
玻璃基TiOx-CeO2薄膜
,
紫外光截止镀膜玻璃
,
基片温度
吴传贵
,
刘兴钊
,
张万里
,
李言荣
功能材料
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜.开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法.介电性能测试表明:BST薄膜的介电常数约为60～70,介电损耗为1.5%～2.5%,居里温度为284K,介电温度系数(TCD)为0.5%.漏电流测试表明:在1MV/cm电场下,漏电流密度为1.9×10-6A/cm2.
关键词:
BST薄膜
,
射频溅射
,
低温沉积
,
红外探测器
刘化然
,
盛英卓
,
宋宇
,
杨伟峰
,
李金荣
,
黄鹏
,
冯博学
功能材料
采用射频溅射法在SnO2衬底上生长了NiOx薄膜,制备的薄膜是非理想化学计量的微晶薄膜.研究了氧分压对NiOx薄膜的溅射速率、表面形貌和光学电学特性的影响.研究结果显示,O2分压在1∶10时,可得到最快的沉积速率;低的氧分压沉积的薄膜表面比较疏松;随着氧含量的增加,方块电阻呈上升趋势,当氧分压达到一定值时,膜电阻又开始下降;随着氧分压的升高,颜色会逐渐加深,透射率降低.
关键词:
NiOx
,
射频溅射
,
电致变色
,
氧分压
钟一叶
,
刘化然
,
张欣
,
冯博学
功能材料
电致变色是指材料的光学性能(光的透射、反射和吸收)通过外加电场或电流的作用,在包括可见光波长的某一波长范围内发生可逆变化的现象.氧化镍薄膜是目前发现的性能最好的电致变色材料之一,采用反应性磁控射频溅射法,利用金属镍作为靶材,在氮与氧混合气体中,通过直流磁控反应溅射法制备氧化镍薄膜,用X射线衍射技术分析其结构,用循环伏安法对NiOx薄膜的电致变色过程进行分析.
关键词:
电致变色
,
射频溅射
,
NiOx薄膜
,
X射线衍射技术
