陈玉武
,
郝秋艳
,
刘彩池
,
赵建国
,
王立建
,
吴丹
材料热处理学报
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响.结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃ RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍.另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大.
关键词:
铸造多晶硅
,
少子寿命
,
快速热处理(RTP)
,
缺陷
贾琰
,
王振交
,
严慧敏
,
张光春
,
李果华
硅酸盐通报
近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.
关键词:
电阻率
,
N型单晶硅太阳电池
,
少子寿命
,
方块电阻
,
电池性能
解希玲
,
谭毅
,
李佳艳
,
董伟
,
刘艳娇
,
邹清川
机械工程材料
采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0．98μs和0．16Ω·cm。
关键词:
多孔硅
,
多晶硅
,
化学腐蚀
,
电阻率
,
少子寿命
赵玉文
功能材料
介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在.同时介绍了减小或避免衰减的技术措施.
关键词:
P型(掺硼)c-Si太阳电池
,
光衰减
,
退火处理
,
少子寿命
柳琴
,
刘成
,
叶晓军
,
郭群超
,
李红波
,
陈鸣波
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.008
研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响.发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压.对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75％ (Voc =0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF =0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池.
关键词:
晶体硅/非晶硅异质结(HIT)
,
太阳电池
,
表面钝化
,
少子寿命
任丙彦
,
吴鑫
,
勾宪芳
,
孙秀菊
,
于建秀
,
褚世君
,
励旭东
材料导报
高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向.背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注.概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向.
关键词:
背接触
,
硅太阳电池
,
少子寿命
,
接触电极
罗方颖
,
宋晨路
材料科学与工程学报
实现表面光电压法(SPV)在大注入水平下的少子寿命测量对表面光电压技术的应用和准确测量具有重要意义.本文计算了P型单晶硅片三种复合机制下注入水平与体寿命及表面复合率的关系.结果表明随着注入水平提高,主导复合机制发生改变,且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加,而与杂质能级位置有关,表面复合率则恰好相反.为验证计算结果,对P型单晶硅片进行了注入水平可调的少子寿命测试.通过样品表面钝化,分离体表寿命,分别得到了注入水平与少子寿命和表面复合率的实验变化关系.理论计算结果与实验数据在测试范围内一致.
关键词:
少子寿命
,
表面复合率
,
SPV
,
注入水平
王振交
,
季静佳
,
施正荣
,
李果华
人工晶体学报
本文中应用全部PECVD工艺沉积a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统,比较了不同钝化膜对多晶硅太阳能电池发射极和背面钝化效果,应用FGA、RTP等热处理方法对钝化膜进行处理,重点讨论了FGA(Forming gas annealing)温度和时间的长短对钝化的影响.结果表明:低温FGA对只有单面钝化膜的硅片钝化效果不明显,而在800 ℃下FGA有明显作用,而且钝化效果随着时间的增加呈现出先增大后减小然后再增大的现象;退火后降温环境中是否有H和降温时间对钝化效果有很大的影响,但是对于双面膜无论FGA温度高低对钝化都有帮助,文中对上述现象做了合理的解释.最后利用双面叠层钝化膜经过FGA处理后得到的多晶硅片的少子寿命达到14.2 μs,比镀膜之前的3.0 μs提高了11.2 μs,使多晶硅太阳能电池暗电压 Voc达到630 mV.
关键词:
PECVD
,
a-SiOx:H/a-SiNx:H
,
少子寿命
,
FGA
,
多晶硅
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.015
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化.结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显.对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复.而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联.
关键词:
电子辐照
,
少子寿命
,
辐照缺陷
,
电阻率
李峰
,
杨莺
,
李碧珊
,
陈进
,
邢青青
,
侯志斌
人工晶体学报
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究.对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV.少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强.
关键词:
S钝化
,
肖特基势垒
,
少子寿命
,
稳定性
,
抗氧化性
