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温度对量子阱红外探测器峰值波长的影响

岳晓芳 , 许丽萍 , 温廷敦 , 王志斌 , 刘云鹏

低温物理学报

量子阱红外探测器(QWIP)是一种对红外辐射信息进行高灵敏度感应的光电转换器件,温度是影响其性能的一个参数.文章以超晶格量子阱发射与干涉电子态理论和吸收波长公式为依据,通过计算温度对势阱、势垒宽度和势垒高度的影响,得出量子阱红外探测器峰值波长与温度的变化关系.发现:当温度升高时,探测峰值发生改变,其中有两处峰值发生红移,一处发生蓝移.这对精确分析红外辐射携带信息和制作非制冷量子阱红外探测器提供了理论指导.

关键词: 量子阱红外探测器 , 温度 , 能级跃迁 , 带隙 , 峰值波长

激发功率密度和阱层厚度对极化InGaN/GaN多量子阱光致发光性能的影响

张正宜 , 梁将 , 武维

人工晶体学报

用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上生长了具有不同阱层厚度的InGaN/GaN多量子阱结构,研究了阱层厚度和激发功率密度对多量子阱光致发光(PL)性能的影响.结果表明,随着激发功率密度的增加,PL的峰值波长会出现不同程度的蓝移,且阱层越厚,蓝移的越明显.PL的峰值波长随着激发功率密度和阱厚的变化关系可以用光生载流子对极化场的屏蔽效应和带隙填充效应来解释.阱最薄的样品(1.8 nm)由于其极化效应最弱,电致发光谱具有最高的发光强度,但其发光波长较短仅有430 nm.

关键词: 阱厚 , 激发功率密度 , 峰值波长 , 极化效应 , 带隙填充

电压对有机蓝光器件发光光谱的影响

姜文龙 , 王静 , 丁桂英 , 汪津 , 王立忠 , 韩强 , 王洪梅 , 赵晓红

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.001

介绍了结构为ITO/40 nm 4,4',4"-tris[N,-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine(m-MTDATA)/5 nm N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)/x nm 4,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)-1,1-biphenyl(DPVBi)/y nm 6,11,12,-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)/40 nm tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq)/0.5 nm LiF/Al的器件,其发光光谱的半峰宽在电压由2 V变为12 V时,由140 nm变为70 nm,器件发光的峰值波长由456 nm变为444 nm的规律.半峰宽变窄是由于随着电压的升高,被Rubrene俘获的电子获得了足够的能量,越过Rubrene层,在DPVBi中与注入的空穴形成激子而复合发光的概率的逐步增加所造成的.峰值波长蓝移是由于激子的形成区域随着电压的增加逐渐由DPVBi层移向NPB层造成的.器件峰值波长的这种变化对器件的色度改善有着很大的影响.

关键词: 有机电致发光器件 , 峰值波长 , 蓝移

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