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常压化学气相沉积硅镀膜玻璃结构、表面形貌与光学性能比较研究

莫建良 , 朱文斌 , 刘峰 , 王昕 , 张溪文 , 韩高荣

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.028

本文通过高分辨电镜(HREM)、原子力显微镜(AFM)分析,反射率、透射率测试以及薄膜厚度的测试,研究了常压化学气相沉积法硅镀膜玻璃硅薄膜的结构、表面形貌(颗粒数量、大小和分布)对镀膜玻璃反射率、透射率的影响.研究发现不同的制备工艺(沉积温度和基板走速)对薄膜的平均反射率和平均透过率有很大的影响,通过控制合适的工艺参数可以制得具有纳米颗粒镶嵌结构的复合薄膜.具有此种形貌结构的薄膜能在基本部增大透过率的情况下有效减少薄膜镜面反射,减少光污染.

关键词: 常压化学气相沉积 , 硅镀膜玻璃 , 表面形貌 , 光污染

APCVD法制备掺氮二氧化钛薄膜及其性能研究

王薇薇 , 郭玉 , 张溪文 , 韩高荣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.005

采用常压化学气相沉积(APCVD)法,以四氯化钛(TiCl4)、氧气(O2)氨气(NH3)作为先驱体,成功制备了掺氮二氧化钛(TiO2)薄膜.通过对其进行扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见透过光谱(UV-VIS)研究后发现,氮掺杂后在二氧化钛薄膜中引入Ti4O7相,抑制了锐钛矿相向金红石相的转变,光吸收限发生红移,相应从365.8nm红移到了402.6nm,提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率,并改善了薄膜表面的亲水性能.

关键词: 光催化性 , 亲水性 , 掺氮二氧化钛薄膜 , 常压化学气相沉积

APCVD法制备Nb∶TiO2薄膜及其光电性能

杨磊 , 刘涌 , 王慷慨 , 丛炳俊 , 程波 , 陆妍 , 林俊君 , 宋晨路

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.012

透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃~550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.

关键词: 透明导电氧化物薄膜 , 常压化学气相沉积 , 晶体质量 , 光电性能

基底表面预氧化对SiO2/S复合涂层的影响

周建新 , 徐宏 , 张莉 , 刘京雷 , 戚学贵

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2007.05.033

为了减缓乙烯裂解炉管内表面的结焦,采用常压化学气相沉积方法,以二甲基二硫(DMDS)和正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,在预氧化的HP40合金试样上制备了SiO2/S复合涂层.分析了沉积温度、气体流速和沉积时间对涂层沉积速率的影响.利用扫描电镜、XPS和Raman光谱分别对涂层的形貌、成分和化学结构进行了表征,并对预氧化试样与涂层的结合进行了实验研究.结果表明,涂层主要由三节环Si-O-Si结构和Si-O-S结构组成,预氧化的试样涂层沉积速率是未氧化试样的2~3倍,试样氧化后涂层的抗热冲击性能和结合强度得到了提高.

关键词: 常压化学气相沉积 , SiO2/S复合涂层 , HP40合金 , 预氧化

退火处理对SnO2:F薄膜光电性能的影响

李铭 , 高倩 , 刘涌 , 宋晨路 , 韩高荣

材料科学与工程学报

SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火(深加工)后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行不同的退火处理。并通过一系列的研究,结果发现,薄膜的结构、组成、电学、光学性能在氮气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SnO2∶F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火后下降明显。通过计算对比退火后SnO2∶F薄膜的晶格常数和晶胞尺寸,提出了一种对于薄膜Low-e性能下降的合理解释。

关键词: Low-e , SnO2∶F薄膜 , 退火 , 常压化学气相沉积

石墨烯保护层对铜电化学腐蚀行为的影响研究

马琼 , 章海霞 , 郭俊杰 , 黄增鑫 , 王永祯 , 许并社

人工晶体学报

以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯.采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1 mol/L NaCl溶液中的抗腐蚀性能进行了研究.结果表明,石墨烯/铜样品的自腐蚀电位比纯铜箔的高0.114 V,腐蚀电流密度较纯铜箔的低1个数量级,极化电阻较纯铜箔的高4.4倍,阻抗模值比纯铜箔的提高了约1个数量级.因此,石墨烯可以作为铜表面的保护层,抑制铜在NaCl溶液中发生电化学反应,从而增强铜的抗腐蚀性能.

关键词: 常压化学气相沉积 , 石墨烯 , 电化学测试 , 抗腐蚀性能

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