杨洪东
,
于奇
,
王向展
,
李竞春
,
罗谦
,
姬洪
材料导报
为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.
关键词:
氮化硅
,
应变测量
,
高分辨X射线衍射
,
应变硅
梁仁荣
,
王敬
,
徐阳
,
许军
,
李志坚
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.012
应用减压化学气相沉积技术,在弛豫Si0.7Ge0.3层/组分渐变Si1-xGex层/Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料,其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数x从O线性增加到0.2.对该复合结构的性能进行了表征,由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4.12 nm和1.2%,材料中的位错密度为4×104cm-2.经受了高热开销过程后,应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变.
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
应变硅
,
减压化学气相沉积
,
锗硅虚拟衬底
,
多层复合结构
陈长春
,
刘江锋
,
余本海
,
涂有超
,
戴启润
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.024
随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限.传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化.此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升.因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能.本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向.
关键词:
高介电常数材料
,
应变硅
,
金属栅极
