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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

俞波 , 盖红星 , 韩军 , 邓军 , 邢艳辉 , 李建军 , 廉鹏 , 邹德恕 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

关键词: 光电子学 , 半导体激光器 , 应变量子阱 , 金属有机化学气相淀积

AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星 , 李建军 , 韩军 , 邢艳辉 , 邓军 , 俞波 , 沈光地 , 陈建新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

关键词: 光电子学 , 应变量子阱 , 光增益 , AlInGaAs , 半导体激光器

俄歇复合对应变量子阱激光器阈值电流的影响

贾国治 , 姚江宏 , 刘国梁 , 柏天国 , 刘如彬 , 邢晓东

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.021

通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高.

关键词: 光电子学 , 俄歇复合 , 应变量子阱 , 阈值电流密度 , 特征温度

GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

高少文 , 陈意桥 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.002

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层.研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系.

关键词: GaInAs/GaInAsP , 应变量子阱 , 色散