李义锋
,
佘建民
,
苏静杰
,
唐伟忠
,
李效民
,
徐小科
人工晶体学报
利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置.采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO (100)基片.采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO (100)基片上实现了金刚石异质外延形核.扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108～109 cm-2.
关键词:
金刚石
,
异质外延
,
化学气相沉积
,
微波等离子体
,
偏压加强
王剑屏
,
郝跃
,
彭军
,
朱作云
,
张永华
,
宋国乡
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.014
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出"汽相结晶"过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素.这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象.
关键词:
碳化硅
,
化学汽相淀积
,
异质外延
,
汽相外延
朱俊杰
,
林碧霞
,
孙贤开
,
郑海务
,
姚然
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.017
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认为,SiC/Si的异质外延,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散.但是,本文通过在不同流量比的条件下,SiC薄膜在Si基片以及Al2O3基片上外延的比较,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散.同时,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制.当SiH4流量增加时,反应速率会明显加快,但是结晶质量会相对变差.
关键词:
SiC 薄膜
,
Si(111)衬底
,
低压MOCVD
,
异质外延
,
扩散
魏贤华
,
张鹰
,
梁柱
,
黄文
,
李言荣
材料导报
由于界面之间的扩散,很难取得在Si基片上BST薄膜的外延.在这种异质结之间,稳定的缓冲层起着良好的阻挡作用以及结构上的延伸功能.综述了用于外延BST薄膜的缓冲层材料的意义和要求,及国内外通过缓冲层来控制界面以及薄膜的外延取向而获得高质量薄膜的最新研究动态,展望了今后用于外延BST薄膜的缓冲层材料发展的趋势.
关键词:
缓冲层
,
Si基片
,
BST薄膜
,
异质外延
,
界面
梁李敏
,
刘彩池
,
解新建
,
王清周
材料导报
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.
关键词:
GaN
,
缺陷
,
异质外延
,
横向外延
,
缓冲层
,
柔性衬底
李尚洁
,
陈铮
,
贠江娟
材料导报
晶体相场模型作为一种新的模拟技术,较之传统的模拟方法(如分子动力学和标准相场模型)具有突出的优势,能够在原子长度尺寸和扩散时间尺度上模拟材料微观结构的演化过程.晶体相场模型在异质外延中的应用已取得很大进展.简述了纯物质和二元合金晶体相场模型,并且综述了晶体相场模型在异质外延中的研究现状,指明该模型的进一步研究方向及在外延薄膜中的应用.
关键词:
晶体相场模型
,
异质外延
,
薄膜材料
,
微观结构演化
石彪
,
朱明星
,
陈义
,
刘学超
,
杨建华
,
施尔畏
硅酸盐通报
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注.单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异(8％),严重制约着高质量单晶薄膜的制备.本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望.
关键词:
3C-SiC
,
化学气相沉积
,
异质外延
,
缺陷
段理
,
林碧霞
,
姚然
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.008
用MOCVD方法在p型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低.
关键词:
无机非金属材料
,
ZnO薄膜
,
SiC缓冲层
,
异质外延
,
结构特性
张兴旺
,
游经碧
,
陈诺夫
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.001
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理和化学性质,在力学、光学和电子学等方面有着广泛的应用前景.自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展,到90年代中期达到高潮,随后进展缓慢,c-BN薄膜研究转入低潮.近年来,c-BN薄膜研究在几方面取得了突破,如获得与衬底粘附良好、厚度超过1μm的c-BN厚膜;成功实现了c-BN单晶薄膜的异质外延生长;此外,在c-BN薄膜力学性质和过渡层微结构研究方面也取得了进展.本文主要评述最近几年c-BN薄膜研究在以上几方面取得的最新进展.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
异质外延
,
应力
,
粘附性
