欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(11)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

电子工业用引线框架铜合金及组织的研究

谢水生 , 李彦利 , 朱琳

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.025

随着电子信息产品向小型化、薄型化、轻量化和智能化发展, 对引线框架材料的强度和导电性提出了更高要求. 本文在简单介绍电子工业用合金发展的基础上, 较详细地介绍了日本推出的引线框架合金品种及主要成分、抗拉强度和导电率. 同时, 阐述了引线框架材料的特点和提高材料性能的可能途径: 改变合金的成分; 采取合理的热处理及加工方法改变其组织结构, 如固溶强化、析出强化、斯皮诺达分解、弥散强化等. 采用几种强化机制适当组合, 能够大幅度改善材料的抗拉强度和导电率.

关键词: 电子工业 , 高精度板带材 , 引线框架材料 , 铜合金 , 固溶强化 , 析出强化 , 弥散强化

KFC引线框架铜合金带材的生产工艺研究

黄国杰 , 谢水生 , 闫晓东 , 涂思京 , 李兴刚

功能材料

引线框架用铜带是集成电路的重要基础材料.KFC合金是具有代表性的高导电引线框架材料之一.本文在分析和比较国内厂家生产的KFC引线框架铜带与韩国优质KFC样品的性能和指标的基础上,进一步分析研究了不同熔铸工艺、水平连铸工艺、轧制工艺及热处理工艺对KFC引线框架材料组织和性能的影响.分析结果将对优化KFC引线框架带材的生产工艺提供依据.

关键词: 引线框架材料 , 铜合金 , KFC , 组织性能 , 生产工艺

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

沈宏 , 李明 , 毛大立

稀有金属材料与工程

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.

关键词: 引线框架材料 , 铜合金 , 氧化失效 , 结合强度 , 电子封装

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

沈宏 , 李明 , 毛大立

稀有金属材料与工程

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.

关键词: 引线框架材料 , 铜合金 , 氧化失效 , 结合强度 , 电子封装

引线框架材料的研究发展现状

材料导报

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一,其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等作用.随着IC向高密度、小型化、低成本方向的发展,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求.由于拥有良好的导热性能,铜合金已成为主要的引线框架材料.对电子封装引线框架材料的性能要求、设计理论以及国内外研究发展现状等进行了综述.

关键词: 引线框架材料 , 高强度 , 高导电 , 铜合金

铜基引线框架材料的研究与发展

马莒生 , 黄福祥 , 黄乐 , 耿志挺 , 宁洪龙 , 韩振宇

功能材料

引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一.其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等.随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展,集成电路I/O数目增多、引脚间距减小,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求.由于拥有良好的导电导热性能.铜合金已成为主要的引线框架材料.本文对电子封装铜舍金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述.

关键词: 引线框架材料 , 铜合金 , 高强度 , 高导电

引线框架铜合金材料与SnAg3.0Cu0.5的界面组织

苏娟华 , 张国军

材料热处理学报

采用扫描电镜和能谱分析等手段研究了3种不同引线框架用铜合金材料与SnAgCu钎料的界面结构,3种铜合金引线框架材料与SnAg3.0Cu0.5焊膏焊后未经时效的界面组织相似.焊点在160℃恒温时效300 h后,Cu-0.1Fe-0.03P合金、Cu-0.36Cr-0.03Zr合金、Cu-0.38Cr-0.17Sn-0.16Zn合金与SnAg3.0Cu0.5焊膏的界面金属间化合物厚度分别为8.7、7.4、6.2μm,其成分主要为Cu6Sn5,靠近铜合金一侧均有少量Cu,Sn生成.结果表明,Cu-0.38Cr-0.17Sn-0.16Zn合金比Cu-0.1Fe-0.03P合金和Cu-0.36Cr-0.03Zr合金具有更好的焊接可靠性能,Cu-0.38Cr-0.17Sn-0.16Zn合金中的Zn元素在焊点界面的富集有效减缓了界面处原子的相互扩散,使金属同化合物的增长速度降低.

关键词: 铜合金 , 引线框架材料 , SnAgCu钎料 , 金属间化合物

集成电路用引线框架材料的研究现状与趋势

向文永 , 陈小祝 , 匡同春 , 成晓玲 , 钟秋生 , 刘国洪

材料导报

作为集成电框架材料的一些研究进展,包括引线框架的功能、制备工艺、成分设计及其对材料的性能要求等,重点介绍了铜基引线框架材料的特性和研发动态,最后,提出了今后引线框架材料的研究方向.

关键词: 集成电路 , 铜合金 , 引线框架材料

一种新型Cu-Fe-P系合金材料的组织性能分析

曹兴民 , 向朝建 , 杨春秀 , 慕思国 , 郭富安

稀有金属材料与工程

开发了一种新型的Cu-Fe-P系引线框架合金材料,研究了变形量及时效处理对该合金力学性能及物理性能的影响.利用光学显微镜、SEM和TEM等手段研究了加工热处理对合金微观组织影响规律,通过测定应力-应变曲线、维氏硬度和电导率来研究合金的性能变化规律,并分析了材料组织性能变化的机理.

关键词: 引线框架材料 , 铜合金 , 变形量

FeNi42引线框架材料的研究进展

付锐 , 冯涤 , 陈希春 , 朱筱北

材料导报

FeNi42合金常被用于制作高可靠性陶瓷封装集成电路的引线框架.随着集成电路向高集成度、多功能化和小型化方向发展,其引线数增多、引线间距减小,因此对引线框架材料的强度和冲裁加工性能提出了更高的要求.主要概述了在提高引线框架用FeNi42合金薄带强度和冲裁加工性能方面的研究进展,指出合金中非金属夹杂物的数量、尺寸和分布对带材性能有重要的影响,同时分析了国产该材料存在的主要问题.

关键词: 引线框架材料 , FeNi42合金 , 集成电路

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 下一页
  • 末页
  • 共2页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词