方志刚
,
李处森
,
孙家言
,
张劲松
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.021
利用网络分析仪连接矩形谐振腔组成材料电磁参数微扰法测试系统.由谐振腔微扰理论出发,得到以托管装载小样品测试时复介电常数和复磁导率的计算公式.对碳泡沫进行电磁参数测试.结果表明,随着碳泡沫电导率的增加,其介电常数缓慢增加,电损耗先增加后减小,而磁损耗不断增加.碳泡沫具有介电常数小、电损耗大、随电导率增加而增加的非本征磁损耗,这种独特的电磁损耗特征使得碳泡沫有用作宽频带高温结构吸波材料的可能性.
关键词:
吸波材料
,
碳泡沫
,
电磁参数
,
微扰法
唐婷婷
,
陈福深
材料导报
采用微扰法分析了光在芯层为左手介质的有损耗平板波导中的传播情况,推导出有效折射率和振幅衰减系数的解析式,并进行了数值计算.同时与右手介质平板波导中的结果进行了比较,结果表明,左手介质波导的衰减系数总是随波导厚度与波长比值(b/λ)的增加而急剧单调递减,不同模式衰减曲线所对应的b/λ取值区间相差较大,并且衰减曲线区间对应的6/λ比值较右手介质波导要小得多.最后讨论了这些特性在器件设计中的作用和意义.
关键词:
光波导
,
衰减系数
,
微扰法
,
左手介质
,
平板波导
方志刚
,
李处森
,
孙家言
,
张洪涛
,
张劲松
新型炭材料
通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块.使用谐振腔微扰法对比测试了2 450 MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化.结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部ε_(r)'均逐渐增加;电损耗tgδ_e均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδ_m不断增加,而其同质压制块的tgδ_m值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降.当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的ε_(r)'值比其同质压制块约小1/2,tgδ_e值至少大2倍,而压制块的tgδ_m值超过SiC/C泡沫4倍多.SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗.
关键词:
SiC/C泡沫
,
三维连通网络结构
,
电磁损耗
,
微扰法
,
非本征磁损耗
忽满利
,
李文慧
,
马志博
,
种兰祥
,
廖春艳
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.01.016
用微扰法从理论上计算了外加交变电场的光折变晶体中屏蔽明孤子的自偏转特性,在外加交变电场的有效电场方向与晶轴方向一致的情况下,晶体中形成屏蔽明孤子,其自偏转方向偏向晶轴反方向,并且孤子中心的偏转轨迹为一抛物线,当传播距离为一定值时,其偏转距离与外加交变电场值的三次方、光强调制度分别成正比,当孤子中心光强与暗辐射强度的比值为10时,光孤子的偏转距离最大.伴随自偏转的同时,光孤子中心的空间频率随着传播距离由低频向高频线性移动,导致光孤子的横截面振幅分布发生了变化,偏转方向的曲线斜率变大,反方向的曲线变得平坦.
关键词:
非线性光学
,
自偏转
,
微扰法
,
屏蔽明孤子
,
交变电场
