谢会东
,
席海红
,
李飞
,
陈超
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140298
通过传统的固相反应方法制备了低温烧结微波介质陶瓷BiMg2VO6,研究了该陶瓷与银的化学兼容性、物相、形貌及在720～840℃内的密度和微波介电性质,并测试了陶瓷的红外反射光谱.结果表明:陶瓷在780℃条件下与银共烧不发生反应,相对密度大于93.8％.在780℃条件下烧结2h得到的陶瓷具有最好的微波介电性能:介电常数为13.4,Q×f值为15610 GHz(f=8.775 GHz),温度系数为-87.2×10-6/℃.红外反射谱数据处理显示,BiMg2VO6的光频介电常数ε∞=3.4,微波频段的外推值为13.5.BiMg2VO6陶瓷好的微波介电性能和低的烧结温度,使其有望用作新的低温共烧陶瓷.
关键词:
BiMg2VO6
,
微波介电
,
烧结性
,
陶瓷
李鹏
,
罗发
,
王晓艳
,
周万城
,
朱冬梅
稀有金属材料与工程
研究了Y2O3含量对钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷微波介电性能的影响.通过热压烧结方法制备了YSZ陶瓷,对材料进行了X射线衍射分析和复介电常数测量.结果表明,当Y2O3含量从2%(摩尔分数)增加到12%时,复介电常数实部在19.49到23.39之间变化.当Y2O3含量为6%时,微波损耗达到最大值0.0789.对YSZ陶瓷的微波损耗机理进行了详细探讨,由于氧离子空位随交变电场的震动和移动而产生的漏导电流是电磁波损耗的主要原因.
关键词:
微波介电
,
YSZ
,
损耗
