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ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

董国义 , 窦军红 , 张蕾 , 韦志仁 , 葛世艳 , 郑一博 , 林琳 , 田少华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.026

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.

关键词: ZnS , 微波介电谱 , 热释光 , 光电子

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