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高k栅介质的研究进展

卢振伟 , 吴现成 , 徐大印 , 赵丽丽 , 张道明 , 王文海 , 甄聪棉

材料导报

随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题.

关键词: 微电子材料 , 栅介质 , 等效SiO2厚度 , 薄膜

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