冯泉林
,
周旗钢
,
王敬
,
刘斌
,
刘佐星
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.002
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响.发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度.使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化.发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加.
关键词:
硅抛光片
,
洁净区
,
氧沉淀
,
内吸杂
,
原子力显微镜
,
微粗糙度
