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HWCVD 工艺参数对 a-Si∶H 薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究?

何玉平 , 黄海宾 , 周浪 , 宁武涛 , 袁吉仁 , 李丹

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.22.013

采用 HWCVD 法双面沉积 a-Si∶H 膜钝化n-Cz-Si 片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对 a-Si∶H 薄膜结构及钝化性能的影响.结果表明,(1)薄膜中SiH 2键相对 SiH 键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大;(2)热丝衬底间距4.0 cm 相比7.5 cm沉积的 a-Si∶ H 薄膜微观结构中,SiH 2键相比SiH 键的比例更高,钝化效果也更好;(3)本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4.0 cm 时气压1.5 Pa,沉积电流21.5 A 情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2.9 cm/s.

关键词: HWCVD , a-Si∶H , 钝化 , ε2 , FT-IR , SiHn , 微观结构参数R??

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