马强
,
杨德仁
,
马向阳
,
崔灿
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.015
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).
关键词:
直拉硅单晶
,
氧沉淀
,
快速热处理工艺
,
CMOS工艺
