袁广才
,
徐征
,
张福俊
,
王勇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.03.012
采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3+(Snx4+·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4+·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.
关键词:
无机非金属材料
,
反应磁控溅射
,
ITO薄膜
,
快速热退火(RTA)
,
电阻率
