冯砚艳
,
王星星
,
辜敏
电镀与涂饰
doi:10.19289/j.1004-227x.2017.09.005
以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+-SiO2复合溶胶.采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜.采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能.结果表明,控制电位在-0.24 ～ 0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+-SiO2和Cu-SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 eV,略高于后者的1.92 eV.由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu-SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400～500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰.
关键词:
二氧化硅溶胶
,
铜
,
复合薄膜
,
氧化铟锡
,
恒电位电沉积
,
循环伏安法
,
紫外-可见光谱
,
光学带隙
胡飞
,
叶澍
,
文思逸
,
胡跃辉
材料导报
采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.
关键词:
线性电位扫描
,
铜铟硒薄膜
,
分段电沉积
,
恒电位电沉积
张金方
,
龙雄飞
,
李新华
,
郭光华
材料导报
室温条件下在以甘氨酸为络合剂的水溶液中,采用恒电位方式在硅片上电沉积制备Sm-Co合金膜.X射线能谱仪 (EDS)分析结果表明,合金膜由Sm、Co组成,其中Sm的相对含量高达26.80％(质量分数)；扫描电子显微镜(SEM)观测结果表明,合金膜结构致密,色泽均一,呈银灰色但有少许裂纹；X射线衍射仪(XRD)分析结果表明,合金膜为非晶态,经700℃热处理2h后,合金膜由非晶态转化为多晶态结构.
关键词:
水溶液
,
恒电位电沉积
,
Sm-Co合金膜
,
热处理
白新波
,
王为
材料保护
目前，少有Cu—Ni-P合金电沉积的研究报道，为此，采用电沉积法制备了Cu．Ni．P镀层，通过循环伏安法考察了铜在Cu—Ni—P镀液中的电化学行为，在此基础上，采用恒电位电沉积法在柠檬酸体系中制备了cu—Ni—P2-元合金镀层，并对镀层的形貌和硬度进行了表征。结果表明：不能单独与铜共沉积的非金属元素P，在一定的工艺条件下，通过在有铜离子的溶液中与镍的诱导共沉积，可以与铜形成Cu．Ni-P合金镀层；Cu．Ni—P合金镀层形貌良好，硬度比Cu镀层有显著提高。
关键词:
Cu—Ni—P合金电沉积
,
恒电位电沉积
,
诱导共沉积
,
镀层硬度
