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GaAs高、低密勒指数表面性质的对比研究

宋友林 , 赵先林 , 李丹

功能材料

对半导体GaAs的高低密勒指数表面的性质进行了比较研究.根据表面的原子排列分别计算了(001)、(114)、(113)、(112)和(111)各晶向的表面悬挂键密度以及表面的多余电子密度,探讨了理想表面和稳定表面的差别以及影响表面稳定性的因素.研究表明低指数表面的稳定性并不优于高指数表面,表面稳定性满足表面电子数目规则优于满足表面悬挂键数目最少原则.

关键词: 高指数表面 , 悬挂键 , 电子密度 , 稳定表面

a-Si3N4纳米粒子的能级结构研究

凤雷 , 李道火

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.015

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10~nm的a-Si3N4纳米粒子,对不同浓度的a-Si3N4纳米粒子溶液进行了紫外吸收及荧光光谱测试,并首次在3.0~4.1~eV范围发现6个荧光峰。根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了a-Si3N4纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键≡Si0在a-Si3N4纳米粒子光谱性质中的主导作用。

关键词: 非晶 , Si3N4 , 纳米粒子 , 悬挂键

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