姜艳
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朱鸥
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张澜庭
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郁金星
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吴建生
机械工程材料
采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响.结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单晶体,其尺寸可达φ8 mm×90 mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论.
关键词:
悬浮区熔
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单相
,
单晶体
,
(Mo_(0.85)
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Nb_(0.15))Si_2
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光加热
徐义库
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刘林
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张军
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材料热处理学报
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶.通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃.和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比.采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定.
关键词:
悬浮区熔
,
单晶生长
,
稀土化合物
,
磁性能
徐义库
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王丹丹
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宋绪丁
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于金丽
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肖君霞
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郝建民
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刘林
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张军
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L(O)SER Wolfgang
材料热处理学报
新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点.本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶.采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体.研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题.
关键词:
悬浮区熔
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单晶生长
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稀土化合物
,
胞状组织
