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Ni-Al-V合金DO22相间有序畴界面的微观相场模拟

张明义 , 王永欣 , 陈铮 , 董卫平 , 来庆波 , 张利鹏

稀有金属材料与工程

利用微观相场动力学模型模拟Ni-A1-V合金沉淀过程中DO22(Ni3V)相沿[100]和[001]方向形成的有序畴界面,对界面结构及其界面处合金元素的成分进行了研究.结果表明:DO22相沿[100]和[00l]方向形成3种稳定界面,且都不可以迁移;界面性质与界面结构有关,(002)//(100)界面处易析出上J12相,主要存在于沉淀早期;(002)//(100)·1/2[100]界面在沉淀后期易形成一种过渡界面;{110}孪晶界面则是三类界面中相对常见和稳定的界面;合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,在所有的界面处V原子贫化而Ni原子偏聚,Al原子在(002)//(100)·1/2[100]界面处贫化,在其它界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度也不一样.

关键词: 有序界面 , 成分偏聚 , DO22(Ni3V)相 , 微观相场 , Ni-Al-V合金

L12相间有序畴界成分的微观相场研究

张明义 , 杨坤 , 陈铮 , 王永欣 , 张嘉振

稀有金属材料与工程

利用微观相场模型研究了有序畴界结构、合金成分和弹性应变能对Ni75A1xV25-x合金中L12-Ni3A1相间有序畴界成分的影响规律.结果表明:L12相间形成的3种有序畴界中,在(100)//(200)·1/2[001]处,Ni的贫化程度最小,A1的贫化程度最大,V的偏聚程度最大;在(200)//(200)处,Ni的贫化程度最大,A1的贫化程度最小,V的偏聚程度最小.随着合金中Al浓度的增加,3种有序畴界处Ni的浓度降低,A1的浓度升高,V的浓度降低.弹性应变能使得L12相间3种有序畴界处Ni和A1的浓度升高,V浓度降低.但弹性应变能对(200)//(200)·1/2[001]和(100)//(200)·1/2[001]成分的影响较大,对(200)//(200)成分的影响则相对较小.

关键词: 微观相场 , 有序畴界 , Ni75AlxV25-x合金 , 成分偏聚 , L12-Ni3Al相

Ni-Al-V合金中异相界面成分及其演化的微观相场模拟

张明义 , 杨坤 , 陈铮 , 王永欣 , 范晓丽

稀有金属材料与工程

基于微观相场模型模拟Ni-A1-V合金沉淀过程,研究合金中有序无序界面和异相间有序畴界的成分及其演化.研究表明,合金元素的偏聚和贫化与界面类型有关.在DO22相与无序相间的有序无序界面处,Ni和Al偏聚,V贫化;在Ll2相与无序相间的有序无序界面处,Ni和Al贫化,V偏聚;在异相间有序畴界处,V在界面的DO22相一侧贫化,在界面的L12相一侧偏聚;Al则在界面的DO22相一侧偏聚,在界面的L12相一侧贫化.Ni的成分分布与界面的形成方式有关.随着时间的进行,界面处合金元素的成分分布变得更加明锐,但合金元素的偏聚和贫化倾向不变.

关键词: 微观相场 , Ni-Al-V合金 , 有序无序界面 , 成分偏聚 , 成分演化

晶界元素偏聚及其机理的研究进展

张明义 , 杨坤 , 陈铮 , 王永欣 , 张嘉振

稀有金属材料与工程

晶界成分偏聚对多晶材料的力学性能有很大影响,探明影响晶界成分偏聚的因素和偏聚机理,对改善材料性能和优化设计合金系统具有重要意义.本文通过归纳近几年来国内外原子尺度研究晶界成分偏聚及其机理的研究进展,分析了间隙原子,置换型原子和空位在晶界的偏聚及其对材料性能的影响,讨论了成分偏聚与合金元素择优占位行为的关系,总结了晶界成分偏聚对材料力学性能影响的根本原因.

关键词: 晶界 , 成分偏聚 , 偏聚机理 , 原子尺度 , 择优占位

Ni-Al-V合金L12相间有序畴界面的微观相场模拟

张明义 , 王永欣 , 陈铮 , 张静 , 赵彦 , 甄辉辉

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.10.017

利用微观相场动力学模型模拟Ni-Al-V合金沉淀过程中L12(Ni3Al)相间有序畴界面,对界面结构及其界面处原子的行为进行了研究.结果表明:L12相间存在3种稳定的平移界面以及2种过渡界面;界面的迁移性与界面结构有关,一个L12相的(100)和另一个L12相的(200)对应且有两个Ni原子面的界面以及(100)和(100)对应且有两个Ni原子面的稳定界面可以迁移,迁移前后界面结构保持不变,迁移的过程中形成过渡界面;而(100)和(200)对应且有一个Ni原子面的稳定界面则不可迁移.合金元素在不同的界面处有不同的偏聚和贫化倾向,Al原子在所有界面处贫化,V原子在所有界面处偏聚,Ni原子在可迁移界面处贫化,而在不可迁移界面处偏聚,且各元素在不同的界面处偏聚以及贫化程度不同.

关键词: Ni-Al-V合金 , L12(Ni3Al)相 , 有序畴界 , 成分偏聚 , 界面迁移 , 微观相场

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