迟玉山
,
沈菊云
,
陈学贤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.008
利用红外光谱、差热分析、X射线粉末衍射、电子显微镜等手段研究了含有TiO2和ZrO2的堇青石微晶玻璃的分相、成核与析晶过程.热处理过程中玻璃首先发生分相,富含钛离子的一相呈现点滴状,均匀分散于玻璃基体中.随后玻璃中析出大量微小的镁铝钛酸盐晶粒,并保持与玻璃分相类似的显微结构形貌.在玻璃析晶过程中钛离子逐渐向六配位状态转化,表明玻璃中钛离子参与形成晶相,玻璃相中钛离子含量逐渐减少.
关键词:
TiO2
,
ZrO2
,
微晶玻璃
,
分相
,
成核
,
析晶
,
红外光谱
马秋林
,
彭晓峰
工程热物理学报
本文定义过冷液体体相中冷活化分子的概念,引用Raoult定律,并将团聚与解聚看成广义的化学反应,推导出了冷活化分子临界聚集浓度和无限相分离的概念,描述了凝固成核的微观过程,并对文献中的纯水凝固试验进行了一定程烫度的解释,验证本文的理论分析.
关键词:
凝固
,
成核
,
冷活化分子
,
团聚
,
临界浓度
王永宝
,
李明伟
,
程旻
,
潘翠连
,
宋洁
人工晶体学报
研究了L-精氨酸掺杂下硫脲硫酸锌(ZTS)溶液中的成核过程,测量了在不同掺杂浓度下ZTS溶液的亚稳区和诱导期.结果表明:随掺杂浓度的增加,溶液的亚稳区变宽,诱导期增大；根据经典成核理论计算了晶体的成核热、动力学参数,分析了溶液稳定性与掺杂浓度的关系,即随着L-精氨酸掺杂浓度的增加,溶液的稳定性得到明显提高.利用化学腐蚀法对ZTS晶体(100)面进行了腐蚀,并用光学显微镜对腐蚀面进行观察,得到了清晰的位错蚀坑.当L-精氨酸掺杂浓度为1.5mol％时,ZTS晶体(100)面位错蚀坑密度最小,适合高光学质量晶体的生长.
关键词:
ZTS晶体
,
亚稳区
,
诱导期
,
成核
,
溶液稳定性
闵乃本
,
王牧
,
李大伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.002
当处于气液界面的类脂类化合物的单分子膜被压缩时,随着分子间距的缩小,单分子膜将经历一系列相变过程.通过荧光显微术可以观测到新相的成核和生长过程.由于单分子膜的二维特性,该系统中的实验观测对于检验和发展二维界面生长理论尤为重要.本文总结了近年来本课题组与相关单位合作,在单分子膜系统中发现的实验现象以及对其生长机制的系列研究.内容包括对单分子膜系统中的成核、界面稳定性、枝晶生长、形态演变等的观测和分析.
关键词:
单分子膜
,
界面生长
,
成核
,
枝晶生长
,
形态演变
易学华
中国有色金属学报
采用分子动力学方法和Quantum Sutton-Chen多体势，对2万个液态金属铜(Cu)原子在两个不同冷速凝固过程中其微观团簇结构的形成特性以及晶体的成核生长进行模拟。运用双体分布函数、Honeycutt-Andersen(HA)键型指数法、原子团类型指数法(CTIM-2)和可视化分析等方法，对凝固过程中微观结构转变和原子团簇的微观结构演变特性进行分析。结果表明：冷却速率为4.0×1012 K/s和2.0×1012 K/s时，系统形成以1421、1422键型或由这两种键型构成的面心立方(FCC)(12000120)和六角密集(HCP)基本原子团(1200066)为主体的晶体结构；尤其是由1421键型构成的面心立方(12000120)基本原子团在晶体生长和对微观结构演变的影响占主导地位。两种冷却速度下的结晶温度分别为673 K和773 K，即冷却速度越慢，结晶温度越高；系统最终形成了由FCC和HCP组成的混合晶体结构，但以FCC晶体结构为主；FCC(12000120)基本原子团在慢速低温时具有较好的遗传特性，基本原子团之间很容易连接在一起构成较大的纳米级大团簇结构。
关键词:
液态金属Cu
,
分子动力学模拟
,
Q-SC多体势
,
微观结构演变
,
成核
,
生长
张琳
,
翟江
,
李克训
,
赵君华
,
李洪亮
,
万勇
,
赵修松
功能材料
对比研究了微量CaCl2电解质对直接法生长和以种子法生长制备二氧化硅微球的影响.随着CaCl2加入量的增加,两种制备途径所得球体粒径的大小和分散度都出现明显变化,当Ca2+的浓度达到3.3mmol/L时,颗粒已不能保持球体形状,开始成絮状物.通过对结果的对比分析,为理解二氧化硅球体生长机理提供了帮助.
关键词:
电解质
,
成核
,
二氧化硅
,
微球体
王英民
,
宁丽娜
,
彭燕
,
徐化勇
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量.根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区.平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差.依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因.根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差.最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路.
关键词:
6H-SiC
,
成核
,
表面形貌
,
缺陷
