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LEC <111> 磷化镓晶片缺陷的观察

陈坚邦 , 郑安生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.005

使用STEM、SEM观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤. 切片损伤层深度约30.3 μm, 磨片损伤层深度小于20 μm. 还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑, 认为这是单晶生长时, 磷挥发造成的. 同时离晶体表面100～150 μm范围内有镓凝聚物, 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的.

关键词: 扫描透射电镜(STEM) , 扫描电镜(SEM) , 磷化镓 , 缺陷