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抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究

庞珍丽 , 师瑞泽 , 张杰 , 肖亚波 , 姜秀丽

硅酸盐通报

本文采用K6P4O13(K6)作助熔剂来生长Rb∶KTP晶体,所生长的晶体具有电导率低,吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点.本文按照生长比例KTP∶K6=1.345∶1(物质的量比),Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1.4 mol%左右来进行配料.测量了Rb∶KTP晶体中掺杂的Rb离子浓度为0.87 mol%,经过测试,晶体的电导率达到10-10 S/cm.测试了晶体随时间延长的光能吸收,发现Rb∶KTP晶体的吸收系数比较稳定,并进行了晶体抗灰迹性能激光测试,发现Rb∶KTP晶体较普通KTP晶体具有很好的抗灰迹性能.

关键词: 磷酸钛氧钾 , 低电导率 , 抗灰迹 , K6P4O13助溶剂

K4体系KTP晶体的制备及其性能研究

葛世艳 , 师瑞泽 , 肖亚波 , 李祯 , 张杰 , 姜秀丽 , 王立弟

硅酸盐通报

本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4 =0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试.结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8%(普通KTP转化效率为50%);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2~3个数量级.

关键词: 磷酸氧钛钾 , 抗灰迹 , K4P2O7助溶剂

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