钟雨航
,
朱世富
,
赵北君
,
任锐
,
何知宇
,
叶林森
,
温才
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
关键词:
硒化镉
,
机械化学抛光
,
抛光液
,
金相显微镜
,
电阻率
功能材料
化学机械抛光(CMP)技术广泛用于表面的超精加工,抛光液是CMP技术中的关键要素.本文制备了一种超细Al2O3抛光液,采用激光粒度仪、扫描电镜等对其进行了表征.进而研究了其在镍磷敷镀的硬盘基片CMP中的抛光特性.结果表明抛光液中Al2O3粒子用量、氧化剂用量均直接影响抛光后的表面质量及材料去除速率.借助对抛光后表面的原子力显微镜(AFM)、俄歇能谱以及X射线光电子能谱分析,对其CMP机理进行了推断.
关键词:
化学机械抛光(CMP)
,
硬盘基片
,
超细Al2O3粒子
,
抛光液
莫益栋
,
李庆忠
材料科学与工程学报
以混合磨料氧化铈和氧化硅、pH调节剂羟乙基乙二胺、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为原料配制抛光液,通过对TFT-LCD玻璃基板进行超声波精细雾化化学机械抛光的正交试验研究,优化了抛光液的成分,并对传统抛光和雾化抛光进行了对比.结果表明:当氧化铈和氧化硅的质量分数分别为4％和10％、pH值为11、表面活性剂的质量分数为1.5％时,材料去除率MRR为215nm/min,表面粗糙度Ra为1.6nm.在相同的试验条件下,传统抛光的去除率和表面粗糙度分别为304nm/min和1.5nm;虽然雾化抛光去除率略低于传统抛光,但抛光液用量仅为传统的1/8.
关键词:
化学机械抛光
,
玻璃基板
,
精细雾化
,
抛光液
,
正交试验
刘恒全
,
季士委
,
潘长江
,
黄楠
腐蚀科学与防护技术
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2007.02.020
阐述了电化学抛光中磷酸、硫酸、铬酐各组分及所起的作用,以不锈钢为研究对象,通过测定单位体积通过电量后的溶液中Fe3+、Cr3+浓度变化作为失效的判断依据;分析了电解液各组分对抛光质量和抛光液寿命的影响,并作出了判断抛光液失效的指标和测量方法,得出了三者在电化学抛光中的控制范围,为控制抛光工艺过程和保证抛光质量提供了依据.
关键词:
抛光液
,
组分
,
浓度
,
失效
黄建东
,
李军
,
宋龙龙
,
花成旭
,
胡章贵
,
朱永伟
,
左敦稳
人工晶体学报
硫化锌晶体是一种重要的红外光学材料,在红外成像、导弹制导、红外对抗等红外技术领域应用广泛.抛光液能够与工件及抛光垫发生化学反应从而影响工件表面质量和材料去除率.实验采用乙二胺、氢氧化钠、柠檬酸、盐酸分别配制不同的酸碱性抛光液,研究抛光液酸碱性对固结磨料抛光硫化锌晶体材料去除率、表面形貌和表面粗糙度的影响.实验结果表明:酸性抛光液抛光的材料去除率高于碱性抛光液;柠檬酸抛光液可同时获得优表面质量和高加工效率,抛光后的晶体表面粗糙度Sa值为4.22 nm,材料去除率为437 nm/min.
关键词:
抛光液
,
硫化锌
,
固结磨料抛光
,
表面粗糙度
,
材料去除率
刘恒全
,
季士委
,
潘长江
,
黄楠
腐蚀科学与防护技术
阐述了电化学抛光中磷酸、硫酸、铬酐各组分及所起的作用，以不锈钢为研究对象，通过测定单位体积通过电量后的溶液中Fe3+、Cr3+浓度变化作为失效的判断依据；分析了电解液各组分对抛光质量和抛光液寿命的影响，并作出了判断抛光液失效的指标和测量方法，得出了三者在电化学抛光中的控制范围，为控制抛光工艺过程和保证抛光质量提供了依据.
关键词:
抛光液
,
null
,
null
