王洪涛
,
王茺
,
李亮
,
胡伟达
,
周庆
,
杨宇
功能材料
利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况.通过优化硅鳍厚度或高度,可以有效的控制短沟道效应.在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数值模拟的过程中,并未观察到由拐角效应引起的泄漏电流.与传统的体硅CMOS结构有所不同,拐角效应并未使得深亚微米三栅FinFET性能变差,反而提高了其电学性能.
关键词:
三栅FinFET
,
短沟道效应
,
亚阈值摆幅
,
拐角效应
钟勇
,
肖加余
,
尹笃林
,
杨金水
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.201501.001
采用真空导入模塑工艺(VIMP)制备纤维增强聚合物基复合材料多墙结构件时,多墙体拐角处的纤维弯曲变形可能导致多墙体局部渗透特性发生变化.通过可视化流动实验考察了拐角对多墙体渗透特性和树脂流动行为的影响.结果表明:无论是否使用导流介质,多墙体中的拐角对树脂流体在VIMP灌注过程中都具有局部阻力作用,降低了树脂充模流动速度和多墙体整体表观渗透率,即存在拐角效应;拐角处铺放导流介质能有效降低拐角效应;随着拐角到注胶口的距离增大,整体表观渗透率表现为先下降后上升.
关键词:
真空导入模塑工艺
,
玻璃纤维
,
渗透率
,
拐角效应
,
导流介质
,
预成型体
