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塑料中增塑剂迁移测试方法的研究进展

陈金爱 , 马玫 , 苑丽红

合成材料老化与应用 doi:10.3969/j.issn.1671-5381.2008.04.006

主要介绍了塑料中增塑剂迁移测定方法,包括增塑剂的分类、迁移测试的国内外标准,增塑剂损失、迁移渗出、液体抽出的测试,以及迁移测定方法的研究进展.提出我国应尽快研究并颁布增塑剂在不同环境和条件下迁移测试的方法标准等建议.

关键词: 增塑剂 , 迁移 , 渗出 , 挥发 , 溶出 , 测试 , 标准

富硼渣碳热还原过程硼组元的迁移行为

刘然 , 高福 , 王杏娟 , 吕庆

钢铁

以富硼渣为原料,在热力学分析的基础上探讨了硼组元在碳热还原过程中的迁移行为,绘制了B-C()优势区图,并利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)测定了产物的相组成和显微结构.研究表明,富硼渣中的B2O3随反应温度的升高失重率变大,1 470℃,8h时B2O3的失重率为53.702%,B2O3以复合氧化物硼酸钙的形式存在于反应产物中,影响了B的挥发失重,且反应产物物相复杂.富硼渣中的硼组分被碳还原挥发,和镁硅组分一起形成白色粉末沉积在炉管口部.

关键词: 富硼渣 , 碳热还原 , B2O3 , 挥发

氧化锌烟尘中铟的挥发富集

罗虹霖 , 刘维 , 覃文庆 , 刘瑞增 , 郑永兴 , 杨康 , 韩俊伟

中国有色金属学报

针对含多种有价金属的还原挥发氧化锌烟尘,对各元素的挥发特性进行热力学平衡计算、实验室回转窑挥发和中试试验,验证铟镉铅选择性挥发效果,获得高铟物料和脱除氟氯的高锌焙砂的工艺路线。在实验室回转窑中,铟和铅的挥发率分别为93.20%和95.12%,同时,得到含锌67.36%、含氟0.013%和氯0.407%的焙砂。在中试试验中,挥发产物中铟的平均含量超过700g/t,较原料富集比超过2倍,铅的平均挥发率达到98.94%,焙砂中平均锌含量为64.16%,锌焙砂中氟和氯的含量分别降到了0.013%和0.211%,这说明从氧化锌烟尘中分离铟并获得可以满足电解锌要求的焙砂的挥发效果非常显著。

关键词: 烟尘 , 氧化锌 , , 挥发

乳液涂料成膜过程中成膜助剂的挥发

殷耀兵 , 李国强 , 管文超

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2007.08.006

成膜助剂的水溶性、相对挥发速度影响其在涂膜干燥过程中的挥发.热失质量和激光粒度分析发现,成膜助剂挥发过程分两个阶段.在第一阶段,成膜助剂一方面挥发,另一方面因浓度提高而向聚合物粒子内部渗透,油溶性成膜助剂挥发速度比较快;在第二阶段,成膜助剂的挥发受到成膜助剂分子由聚合物内部向外扩散的控制,油溶性成膜助剂挥发速度比较慢.由于成膜助剂水溶性的这种差异,导致油溶性成膜助剂容易出现缩边现象.这对于成膜助剂的选用和减量增效,以及提高成膜性能具有重要意义.

关键词: 成膜助剂 , 水溶性 , 挥发 , 缩边

钢铁冶金过程脱铜方法研究的发展和现状

朱立全 , 胡晓军 , 姜平国 , 周国治

钢铁研究学报 doi:10.13228/j.b0yuan.issn1001-0963.20130385

随着废钢积累和在炼钢过程的循环利用,钢中Cu含量不断增高,影响钢铁产品质量,严重制约了废钢的利用.因此,需要在冶金过程中将Cu尽可能脱除.然而,Cu的热力学性质决定了冶金过程的氧化和还原精炼难以将Cu从铁液或钢液中去除.在分析总结现有各种脱铜方法的基础上,提出了一种基于选择性氯化和挥发的新方法,其要点为:首先使铁水或钢液中的Cu部分氧化进入熔渣,然后通过熔渣中Fe和Cu的选择性氯化和挥发反应,最终Cu以高挥发性的氯化物形式得到脱除.目前的研究表明该方法理论上可行,初步的试验结果也证实可有效地进行Cu,Fe的分离,渣系的氧化性和组成对脱铜过程有重要的影响.

关键词: 脱铜 , 选择性氯化 , 挥发 , 钢铁冶金

涂料中溶剂的选择

夏正斌 , 涂伟萍 , 杨卓如 , 陈焕钦

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2000.05.013

综述了溶剂的各项特性及其对涂料贮存、施工、成膜性能的影响.探讨了选择溶剂的一般原则.介绍了常用溶剂的类型、使用情况及发展趋势.

关键词: 涂料 , 溶剂 , 溶解参数 , 挥发 , 溶剂平衡

组分挥发对CBO晶体生长影响研究

徐子颉 , 吴以成 , 傅佩珍 , 陈创天

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.011

非线性光学晶体CsB3O5(简称CBO)在生长过程中,原料组分的挥发影响了单晶的生长.本文利用XRD,DTA等手段对挥发物的成分进行表征,结果表明挥发物的主要成分是Cs2O,并探讨了原料组分的挥发对结晶状况的影响,以期探索和优化晶体生长工艺.

关键词: 非线性光学晶体 , CsB3O5 , 挥发 , XRD

三氧化钼低温挥发性能及抑制挥发方法

朱航宇 , 李正邦 , 杨海森 , 刘吉刚

钢铁研究学报

选取碳酸钙、氧化钙及氧化镁作为添加剂,采用热重分析法及X射线衍射(XRD)分析对比了各添加剂对三氧化钼挥发的抑制效果。研究结果表明,碳酸钙和三氧化钼500℃开始反应,至三氧化钼开始挥发前二者反应已基本完成,且反应速率大于三氧化钼的挥发速率;碳酸钙、氧化钙和氧化镁均能有效抑制三氧化钼的挥发,500~700℃温度区间抑制效果较好,其中碳酸钙对氧化钼挥发的抑制效果优于氧化钙及氧化镁。

关键词: 三氧化钼 , 挥发 , 添加剂 , 低温

烧结方式对ZnO-Bi2O3压敏瓷Bi2O3挥发的影响

徐东 , 程晓农 , 赵国平 , 严学华 , 施利毅

中国有色金属学报

采用裸烧、盖烧和埋烧等不同的烧结方式制备ZnO-Bi2O3压敏瓷,通过XRD和SEM等方法对压敏瓷的物相和显微组织进行研究,探讨烧结方式对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响.结果表明:烧结方式和烧结温度对压敏瓷的显微组织和电性能产生明显的影响.对于裸烧、盖烧和埋烧来说,1 100 ℃均为最佳的烧结温度;1 000 ℃时埋烧得到的压敏瓷的电性能较好,1 100 ℃和1 200 ℃时裸烧得到的压敏瓷的电性能较好;烧结方式对于Bi2O3挥发控制的强弱顺序为埋烧、盖烧、裸烧.

关键词: ZnO-Bi2O3压敏瓷 , 氧化锌 , 烧结 , 挥发

ZnO/Ga2O3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响

庄惠照 , 高海永 , 薛成山 , 董志华

稀有金属材料与工程

通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料.氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上.用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌.通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响.

关键词: 氨化 , ZnO/Ga2O3薄膜 , 挥发 , 射频磁控溅射

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