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Yb:FAP晶体生长

宋平新 , 赵志伟 , 徐晓东 , 姜本学 , 邓佩珍 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.003

采用中频感应提拉法生长了Yb:FAP晶体.对晶体生长中影响晶体质量的因素特别是原料的处理、CaF2的挥发等进行了研究和讨论.运用ICP-AES测定Yb3+离子在Yb:FAP晶体中的分凝系数.对Yb:FAP晶体进行了高分辨X射线的四圆衍射实验,结果表明晶体具有比较高的晶格完整性.

关键词: Yb:FAP晶体 , 晶体生长 , 原料 , 挥发物 , 分凝系数

酚醛树脂基预浸料挥发物含量分析条件探讨

郑张宜 , 黄志雄 , 丁杰 , 罗海涛 , 秦斯文

玻璃钢/复合材料

为了得到分析酚醛树脂基预浸料挥发物含量的最佳条件,对酚醛树脂基预浸料的生产工艺、组成成分和固化机理进行分析,设计了在80℃、90℃和100℃试验温度下的一系列保温时间的对比实验,确定了精确分析酚醛树脂基预浸料挥发物含量的分析条件.以此为前提,进一步探讨得到了在酚醛树脂可发生部分固化反应的较高温度条件下快速分析酚醛树脂基预浸料挥发物含量的最佳条件.其中精确分析酚醛树脂基预浸料挥发物含量的条件为:试验温度80℃,保温时间80min;快速分析条件为:试验温度110℃,保温时间15min.并得出了酚醛树脂基预浸料挥发物含量的测试条件与基材的品种无关的结论.

关键词: 挥发物 , 酚醛 , 树脂 , 预浸料 , 固化

挥发物对BBO晶体的腐蚀研究

徐子颉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.007

采用顶部籽晶法,以NaF为助熔剂生长非线性光学晶体材料β-BaB2O4(简称BBO)晶体.在生长过程中发现挥发物掉落在晶体表面并严重腐蚀晶体.通过X射线粉末衍射分析,发现挥发物的主要成分是NaF,它不仅腐蚀晶体表面,而且引起晶体内部包裹物的形成.X射线衍射分析和质谱分析表明包裹物的主要成分是BaB2O4,另有少量Na+存在.探讨了由挥发物引起晶体内部形成包裹物的机理.

关键词: β-BaB2O4晶体 , 顶部籽晶法 , 挥发物

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