王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
杨建荣
,
于梅芳
,
杜美容
,
乔怡敏
,
郭世平
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。
关键词:
ZnSe
,
MBE
,
生长控制
,
掺杂控制
