张俊峰
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吴隽
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龙晓阳
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祝柏林
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李涛涛
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姚亚刚
人工晶体学报
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol% V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.
关键词:
ZnO∶V薄膜
,
射频磁控溅射
,
掺氧量
,
缺陷态
