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掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究

刘峰松 , 顾牡 , 姚明珍 , 梁玲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.008

采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量,并运用过渡态方法计算了其激发能.通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布,发现与VO相关的F+心是晶体掺Nb的主要补偿机制.(NbO3+F+)2-缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低.计算结果表明VO有关的F+的存在是有效消除晶体中350nm吸收的主要原因.而F+→W5d轨道的跃迁能量为2.8eV,对应晶体中420nm吸收.

关键词: PbWO4晶体 , 密度泛函 , 掺铌晶体 , 态密度