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InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

李国辉 , 杨茹 , 于民 , 曾一平 , 韩卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.031

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.

关键词: InGaAs/Inp , 离子注入 , 新结构HPT