赵秋蓉
,
张慧茹
电镀与涂饰
在H2SO4/H2O2混合液中对ABS塑料进行表面粗化,然后进行化学镀银,再用FeCl3溶液氯化镀银层,制备出心电图仪(ECG)用一次性Ag/AgC1电极.研究了活化时间和装载量对化学镀银增重及电阻的影响.采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)技术分析了镀层的表面形貌和物相组成,分别用四探针法和冷热循环法测试了镀层表面的方块电阻及镀层与基体的结合力.结果表明,粗化处理后的ABS塑料表面粗糙度增大,亲水性增加.适宜的活化时间和化学镀银装载量分别为5 min和80 cm2/L.此条件下制备的化学镀银层均匀致密,与基体的结合力强.氯化前后镀银层的导电性均良好,表面方块电阻分别为30 mΩ/□和53.6 mΩ/□.测得Ag/AgCl心电电极的交流阻抗≤3kΩ,直流失调电压≤ 100 mV,内部噪音≤150 μv,模拟除颤恢复≤3kΩ,偏置电流耐受度≤ 100 mV,符合国家医药行业YY/T 0196-2005标准.
关键词:
丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物
,
塑料
,
化学镀银
,
银/氯化银电极
,
粗化
,
活化
,
方块电阻
,
心电图仪
贾琰
,
王振交
,
严慧敏
,
张光春
,
李果华
硅酸盐通报
近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.
关键词:
电阻率
,
N型单晶硅太阳电池
,
少子寿命
,
方块电阻
,
电池性能
王鹏
,
赵青南
,
周祥
,
赵修建
稀有金属材料与工程
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜.用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率.并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化.结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率.
关键词:
同质缓冲层
,
ZnO:Al薄膜
,
射频磁控溅射法
,
方块电阻
,
玻璃基片
崔雪英
,
李胜利
,
孙良成
,
朱新德
稀土
采用丝网印刷法在氧化铝基底上制备了La0.6Sr0.4FeO3薄膜.利用扫描电镜、流变仪、X射线衍射仪、红外光谱仪、四探针和划痕仪研究了有机载体配比对薄膜成膜效果、浆料粘度、电阻均匀性和与基底结合强度等的影响.结果表明,松油醇和乙基纤维素(EC)的配比对浆料成膜效果影响显著,加入60％松油醇时,薄膜较为平整,但裂纹较多.当加入乙基纤维素(EC)2％～3％时,浆料粘度提高为0.23 Pa.s和0.55 Pa.s,最有利于薄膜印刷,且膜裂纹少,膜层均匀连续;烧结后的薄膜为单一的钙钛矿相,且Fe-O键比粉体的结合强;并且薄膜方阻均匀,与基底的结合力强.因此松油醇含量60％、EC加入量2％ ～3％的铁酸锶镧浆料最适于丝网印刷成膜.
关键词:
铁酸锶镧
,
有机载体
,
丝网印刷
,
微观形貌
,
方块电阻
许积文
,
王华
,
任明放
,
成钧
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.05.028
基于Al2O3掺杂量为3wt%的氧化锌铝陶瓷靶材,采用直流无反应磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO:Al透明导电薄膜.研究了氩气压强对薄膜微观结构和光电性能的影响.结果表明:氩气压强对薄膜的平均透光率影响微小,其值均在86%以上,但对薄膜的微观结构和方块电阻有非常明显的影响.随着氩气压强的增大,薄膜的晶粒形状由片状向球状变化,并呈现出c轴择优生长特性.氩气压强在0.6～3.0 Pa范围内增长时,薄膜的方块电阻先缓慢减小,2.0Pa后急剧增大.在压强为1.5Pa时,薄膜具有最好的电学性能,其电阻率为1.4×10-3Ω·cm,方块电阻为10Ω/sq,优值为1.6Ω-1,符合评价标准.
关键词:
直流磁控溅射
,
ZAO薄膜
,
方块电阻
,
透光率
,
优值
高立华
,
郑玉婴
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.006
采用射频磁控溅射工艺，以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材，衬底温度控制在室温，在玻璃基底上制备了透明导电 ZnO∶Al(ZAO)薄膜.利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱仪和范德堡法，系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响.结果表明，不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大，而对薄膜结晶和电学性能影响较大.XRD 表明薄膜为良好的 c 轴择优取向；可见光区(400~600 nm)平均透过率达到85％以上；在120 W 下沉积的薄膜电学性能达到了最佳.
关键词:
ZAO 薄膜
,
溅射功率
,
方块电阻
,
透过率
朱登华
,
李旺
,
刘石勇
,
牛新伟
,
杜国平
人工晶体学报
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响.结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现“类金字塔”的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200 ～ 500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28 Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15％明显降低至5％左右,表现出优异的光学减反性能.
关键词:
低压化学气相沉积
,
B掺杂ZnO
,
透明导电薄膜
,
方块电阻
,
光学减反
冯亚丽
,
张慧茹
高分子材料科学与工程
采用聚乙二醇1000优化了化学镀银中的敏化/活化工艺,采用施镀所用还原液对织物还原处理,以氨水、乙二胺和硫代硫酸钠作为复合络合剂,开发了涤纶织物绿色化学镀银技术;并在此基础上开发了双层镀银技术.采用扫描电镜和四探针研究了工艺对银镀层的表面形貌和表面方块电阻的影响,并由上海计量测试技术研究院测得镀银涤纶织物的电磁屏蔽效能.结果表明,得到的镀银层光滑、平整、致密,单层镀银涤纶织物的方块电阻为20 mΩ/□～30 mΩ/□、双层镀银涤纶织物的电阻为9 mΩ/□～15 mΩ/□,在30MHz～～3000MHz频率范围内,单、双层镀银涤纶织物的电磁屏蔽效能分别为78.05dB和87.82dB.
关键词:
化学镀银
,
表面形貌
,
方块电阻
,
电磁屏蔽效能
商俊博
,
赵广杰
,
王克男
,
李为义
电镀与涂饰
研究了薄木化学镀铜的生产工艺及所得镀层的电磁屏蔽、装饰性、成本等方面的性能.给出了镀铜液配方及工艺参数.结果表明,单位面积上,化学镀铜的成本远小于铜箔贴面的成本,可节约成本达70%左右.镀铜层均匀连续,具有一定的装饰性.施镀时间在10～15 min之间时,镀铜层的电磁屏蔽效能可达25～40 dB,方块电阻达到0.07Ω/square左右.
关键词:
木材
,
化学镀铜
,
电磁屏蔽
,
装饰性
,
方块电阻
杨玲
,
韦帅
,
张婷婷
,
许积文
,
王华
材料导报
以乙酰丙酮锌、乙酰丙酮铝为锌和铝的原料,乙醇和水为溶剂,采用超声喷雾热解法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al透明导电薄膜,研究了Al添加量为0％～20％(原子分数,下同)对ZnO∶Al薄膜光电性能的影响.使用XRD、SEM、DSC、FTIR、四探针、分光光度计对薄膜进行了表征和分析.结果表明,300℃的低温能生长出结晶态的薄膜,Al掺杂引起晶格常数减小;晶粒形貌为片状;随着Al添加量的增加,方块电阻先降低后增大,Al添加量为4.0％时具有最低的方块电阻(4.43 kΩ/sq),最佳的电阻率(0.43 Ω·cm);Al添加量对薄膜的透光率影响较小,平均可见光透光率大于80％.真空热处理可显著降低方块电阻,Al添加量为4.0％的薄膜经过550℃热处理后,其方块电阻降低到106 Ω/sq,相应的电阻率为1.0×10-2 Ω·cm.
关键词:
喷雾热解法
,
ZnO∶Al
,
方块电阻
,
透光率
