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旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

赵明磊 , 王增梅 , 袁多荣 , 王矜奉 , 王春雷 , 王渊旭 , 王晓颖

功能材料

通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiOi4晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiOi4晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.(yx1)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.

关键词: LGS晶体 , 旋转Y切 , 压电常数

La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性

赵明磊 , 王增梅 , 袁多荣 , 王矜奉 , 王春雷 , 王渊旭

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.015

测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.

关键词: LGS晶体 , 旋转Y切 , 压电常数

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