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CeF3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究

胡孟春 , 李忠宝 , 唐章奎 , 彭太平 , 王振通 , 张建华 , 唐正元 , 杨洪琼 , 杨高照

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.029

用CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管构成两种闪烁探测器,在1.2MeV、2.5MeV、3.5MeV、5.0MeV和14MeV等能量的稳态中子源场中,测量了这两种闪烁体探测器的电流输出,得到结果表明:上述能量的中子与CeF3闪烁探测器作用形成的电流比同尺寸ST401闪烁体构成探测器的输出电流均低一个量级以上,这些结果与这两种探测器在钴、铯γ源中测量结果比较,可以得出在n、γ混合辐射场中测量γ辐射时,CeF3闪烁探测器能够较好地屏蔽这些能量中子的干扰.

关键词: CeF3 , 无机闪烁体 , 辐射探测 , 中子源 , 中子灵敏度 , ST401

国产YAP:Ce闪烁晶体的相对探测能力测量

胡孟春 , 李忠宝 , 周刚 , 张建华 , 赵广军 , 彭太平 , 王振通 , 唐章奎 , 杨高照 , 李如荣 , 唐登攀 , 陈钰钰

人工晶体学报

为适应在n、γ混合脉冲辐射场中对低强度快脉冲γ辐射测量的需要,近年国内新研制出实用型YAlO3:Ce(YAP:Ce)快响应无机闪烁晶体.我们使用脉冲线性电流大于1.5 A的光电倍增管,分别配置这种晶体以及CeF3、NaI等晶体构成闪烁探测器,在放射性标准源场中,对晶体的相对探测能力进行测量.测量结果表明:国产新型YAP:Ce无机晶体对这1.25 MeV 射线的探测能力比同体积的CeF3平均高一个量级,是同体积NaI的40%左右;当晶体厚度小于2 mm时,YAP:Ce与CeF3、NaI的输出比值分别大于16和44%,说明厚度越薄晶体的相对探测能力越强.

关键词: YAlO3 , Ce , YAP , Ce , 无机闪烁体 , 辐射探测

脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对

胡孟春 , 李忠宝 , 唐章奎 , 周殿忠 , 杨洪琼 , 王振通 , 张建华 , 胡青元 , 杨高照

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.039

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.

关键词: CeF3 , 无机闪烁体 , 辐射探测 , 脉冲DT中子源 , 中子灵敏度 , ST401

国产无机闪烁晶体LaCl3:Ce的探测能力和时间响应测量

胡孟春 , 周刚 , 李忠宝 , 张建华 , 张明荣 , 彭太平 , 唐章奎 , 胡青元 , 司粉妮

人工晶体学报

以国产的掺铈氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体与线性电流大于1.5 A的光电倍增管构成闪烁探测器,利用 60Co、137Cs放射性标准源场,实验测量这种探测器对γ辐射的探测能力,并与同情况NaI:Tl闪烁探测器进行比对;利用266 nm单色激光和ns级的γ脉冲辐射分别对这种闪烁体的光致激发、辐射激发的时间响应性能进行测量.测量结果表明:国产新型LaCl3:Ce无机闪烁晶体样品构成的探测器对1.25 MeV 、0.66 MeV γ射线的探测能力平均约为同情况NaI:Tl闪烁探测器的103%,高的已超过了同尺寸NaI:Tl构成的闪烁探测器;266 nm单色激光光致激发时间响应波形前沿、半高宽、后沿和衰减常数分别为1.05 ns、17.42 ns、54.30 ns和24.61 ns,ns级的γ脉冲辐射激发的时间响应波形前沿、半高宽、后沿和衰减常数分别为1.52 ns、21.99 ns、75.13 ns和34.19 ns.

关键词: LaCl3:Ce , NaI:Tl , 无机闪烁体 , 辐射探测 , 探测器

共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12粉体

张烨 , 陈先强 , 秦海明 , 罗朝华 , 蒋俊 , 江浩川

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160075

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12(GAGG)前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征.分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1 100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体.采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察.GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰.在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度.

关键词: Gd3(Al,Ga)5O12陶瓷 , 共沉淀 , 煅烧 , 无机闪烁体

近距离n, γ混合脉冲辐射场中γ辐射探测技术

胡孟春 , 叶文英 , 唐章奎 , 王振通 , 周殿忠 , 张建华 , 李忠宝

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.020

n, γ混合脉冲辐射场中, 在近距离、辐射强度低且中子辐射峰值比被测γ辐射峰值强度高的情况下, 传统γ辐射探测技术实施起来面临困难.对PbWO4和CeF3等近年国内新研制的无机闪烁体进行了系列研究, 使用CeF3分别配光电倍增管和光电管, 组合出了对γ辐射灵敏度高, 对中子相对不灵敏, 同时脉冲响应也快的光电探测系统, 应用以此为基础的探测技术在近距离n, γ混合脉冲辐射场中, 可将脉冲γ辐射探测信噪比提高一个量级以上.

关键词: n,γ混合辐射场 , γ辐射探测 , 无机闪烁体 , 灵敏度 , CeF3

强辐射对Yb∶YAG超快无机闪烁探测器灵敏度影响的实验测量

胡孟春 , 李忠宝 , 甫跃成 , 刘建 , 唐登攀 , 李如荣 , 王文川 , 黄雁 , 陈力雄

人工晶体学报

为了给强脉冲辐射场中应用超快闪烁探测器进行精密物理测试以及相关晶体抗核加固提供实验测量数据参考,针对近年新研制的Yb∶ YAG超快无机闪烁体与GD40光电管构成的快闪烁探测器,在源强近万居的强稳态辐照场中,细致测量了辐射累计伽马剂量从约1 Gy开始到最高约1 kGy全过程中Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出电流的变化数据;在测点注量率大于1017cm-2·s-1的“强光一号”短γ脉冲辐射场中,测量了Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出脉冲波形响应情况.实验测量结果表明:在强稳态辐射场情况下,对应累计剂量5 ~ 10Gy时,YAG(Yb)闪烁探测器灵敏度下降约5~10%(相对辐照IGy时的情况);测点累计伽马剂量约1 kGy时,Yb∶ YAG超快闪烁探测器的电流输出与约1 Gy时的比值约50%;短γ脉冲辐射情况下,测点累计注量约4×109 cm-2,Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出电流约1A时,灵敏度下降约10%(相对累计注量约3×109 cm-2的情况),当测点注量大于1010 cm-2(累积剂量超过100 mGy),Yb∶ YAG超快闪烁探测器会出现较明显的损伤现象.

关键词: 辐射探测 , 无机闪烁体 , Yb∶YAG , 辐照损伤 , 强光一号

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